时间：2025/9/15 17:05:56
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AMMC-6650-W50 是一款由 Analog Devices（ADI）公司生产的 GaAs（砷化镓）单片微波集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA），专门设计用于在 2 GHz 至 6 GHz 的宽频率范围内工作。该器件采用了高性能的 GaAs 场效应晶体管（FET）技术，提供出色的噪声系数、高增益和良好的线性度，适用于无线通信、测试设备、雷达系统以及工业和医疗设备等多种高频应用场景。AMMC-6650-W50 采用表面贴装封装（SMT），便于在射频电路中集成，且无需外部匹配元件，简化了电路设计。
制造商: Analog Devices
产品类型: 射频放大器
产品型号: AMMC-6650-W50
工艺技术: GaAs MMIC
工作频率范围: 2 GHz 至 6 GHz
噪声系数: 典型值 1.2 dB
增益: 典型值 20 dB
输出IP3: +15 dBm
电源电压: 5 V
电源电流: 65 mA
封装类型: 表面贴装（SMT）
输入/输出阻抗: 50Ω
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
AMMC-6650-W50 是一款专为高性能射频和微波系统设计的低噪声放大器（LNA）。该器件采用 GaAs MMIC 技术制造，能够在 2 GHz 到 6 GHz 的宽频带范围内提供稳定的性能。其典型噪声系数仅为 1.2 dB，使得该放大器非常适合用于需要高灵敏度的接收器前端应用。该器件在宽频范围内提供高达 20 dB 的典型增益，有助于提升系统信号链的整体性能。
AMMC-6650-W50 的线性性能也十分出色，输出三阶交调点（IP3）为 +15 dBm，能够在较高功率下保持良好的信号保真度，减少非线性失真。这使其在多载波系统和需要高动态范围的应用中表现出色。此外，该放大器的工作电压为 5 V，典型电流消耗为 65 mA，在保证高性能的同时具备良好的功耗控制能力。
该器件采用紧凑的表面贴装封装（SMT），便于在射频模块和 PCB 上安装。它不需要外部输入和输出匹配元件，减少了设计复杂性和电路板空间占用，提高了系统的可靠性和可制造性。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于各种工业和通信环境。
AMMC-6650-W50 适用于多种高频和宽带射频系统，包括无线基础设施、基站接收器、微波通信系统、测试与测量设备、雷达系统以及医疗成像设备中的射频前端。其宽频带特性使其在多种频段下均能良好工作，例如 Wi-Fi 5 GHz 频段、蜂窝通信频段（如 2.5 GHz 和 3.5 GHz）、点对点微波链路和卫星通信系统等。此外，该放大器也可用于工业控制系统和宽带数据采集设备中的信号增强环节。
HMC716LC5B, ATF-54143, BFU550F
