GA1210Y563JXBAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,主要应用于无线通信领域。它采用了先进的工艺技术,在高频信号处理中表现出优异的性能。该芯片设计用于提高射频信号的输出功率和效率,同时保持较低的失真度和噪声水平。
其封装形式适合高密度电路板设计,具有良好的散热性能,能够满足多种复杂环境下的应用需求。
型号:GA1210Y563JXBAT31G
类型:功率放大器(PA)
工作频率范围:1.8 GHz 至 2.2 GHz
增益:19 dB
输出功率:30 dBm
电源电压:5V
静态电流:200 mA
效率:45%(典型值)
封装形式:QFN-24
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
GA1210Y563JXBAT31G 具备高线性度和高效率,适合于 LTE、WCDMA 和 GSM 等通信标准的应用场景。
其内置匹配网络简化了外部电路设计,从而减少了整体解决方案的尺寸和复杂性。
此外,该芯片还具有出色的热稳定性,能够在极端温度条件下保持稳定的性能输出。
通过优化的设计结构,该器件在大信号输出时仍能提供较低的互调失真,确保了通信质量。
支持关断模式以降低待机功耗,非常适合电池供电设备使用。
这款芯片广泛应用于蜂窝通信基站、远程无线模块、物联网设备以及便携式通信终端等产品中。
例如,在 4G/5G 微基站中,它可以作为关键组件来增强信号覆盖范围;在工业自动化领域,该芯片可用于提升数据采集与传输系统的可靠性。
此外,它也适用于卫星通信系统中的小型地面站设备,为用户提供稳定高效的无线连接方案。
GA1210Y563JXBAT28G, PA21B30C5G