时间：2025/6/30 14:01:19
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AMK105BJ225MP-F 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，广泛应用于工业和消费类电子领域中的电源管理电路、电机驱动以及负载切换等场景。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，其设计优化了动态性能和热稳定性，从而在高频开关条件下表现出优异的效率和可靠性。
最大漏源电压：225V
连续漏极电流：-67A
导通电阻（典型值）：4.3mΩ
栅极电荷（典型值）：190nC
反向恢复时间：75ns
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247-3
AMK105BJ225MP-F 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定漏源电压 (Vds)，适用于需要承受较高电压波动的应用环境。
3. 快速开关速度，具备较低的栅极电荷 (Qg) 和反向恢复时间 (trr)，有助于降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性及散热性能，能够在高温环境下长期可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代绿色设计需求。
该器件适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 工业电机驱动和逆变器模块中的功率级组件。
3. 太阳能微逆变器和储能系统的功率转换部分。
4. 电动车充电设备及电池管理系统中的负载切换和保护电路。
5. 高功率 LED 照明驱动中的关键开关元件。
AMK105BJ225MP-S, IRFP260N, FDP18N25C
