时间：2025/6/3 10:11:28
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AME8801JEEVZ是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用场合。其设计优化了效率与散热性能，非常适合于需要高效能、高可靠性的电路设计。
AME8801JEEVZ常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等场景，能够显著降低功耗并提升系统整体性能。
漏源极击穿电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：59nC
输入电容：1720pF
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合现代高效开关电源设计。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 超小型封装，节省PCB空间，便于紧凑型设计。
5. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
6. 符合RoHS标准，绿色环保设计。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电池管理系统（BMS）
4. 汽车电子中的负载开关
5. 工业电机控制
6. 通信设备中的电源管理模块
7. 计算机及外设中的功率转换解决方案
AME8801JEHVZ
IRF8801
FDP8801
