型号：AM3403E3R
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　材料：GaN-on-Si
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：30 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：120 A
　　导通电阻（RDS(on)）：7 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：3800 pF
　　输出电容（Coss）：650 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　封装类型：DFN5x6
　　安装类型：表面贴装

AM3403E3R的核心优势在于其基于氮化镓半导体材料所带来的卓越电学性能。氮化镓材料具有宽禁带特性，使其能够在更高的电场强度下工作，从而实现更高的击穿电压和更薄的漂移层，显著降低器件的导通电阻和寄生电容。这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，尤其是在高频工作条件下，传统硅MOSFET因开关损耗急剧上升而效率下降，而AM3403E3R则能维持较高的转换效率。该器件的RDS(on)仅为7mΩ，在100V耐压等级的器件中处于领先水平，意味着在大电流应用中产生的焦耳热更少，有助于提升系统功率密度。
　　此外，AM3403E3R作为增强型（e-mode）器件，具备常关特性，即在栅极电压为零时器件处于关断状态，这一特性极大地提升了系统的安全性和易用性，特别适合于需要快速启动和关断控制的电源系统。与耗尽型氮化镓器件相比，增强型结构无需负压关断，可直接与标准的PWM控制器和栅极驱动器接口，降低了驱动电路的复杂度和成本。器件的栅极驱动电压范围通常为-2V至+6V，兼容常见的3.3V或5V逻辑电平，进一步简化了系统集成。
　　在动态性能方面，AM3403E3R具有极低的输出电容（Coss）和几乎为零的反向恢复电荷（Qrr），这意味着在桥式拓扑（如图腾柱PFC）中，体二极管的反向恢复问题被极大削弱，从而减少了开关过程中的能量损耗和电压尖峰，提升了系统可靠性和EMI性能。同时，低寄生电感的DFN5x6封装设计优化了高频下的电流分布和热传导，有效抑制了振铃现象，提高了开关速度和稳定性。该器件还具备良好的热性能，结到外壳的热阻较低，便于通过PCB散热，适合高功率密度设计。总体而言，AM3403E3R代表了当前氮化镓功率器件在性能、可靠性和易用性方面的先进水平。

AM3403E3R广泛应用于对效率和功率密度要求极高的现代电力电子系统中。典型应用包括高效率AC-DC电源供应器，尤其是在服务器、数据中心和电信设备所使用的80 PLUS钛金或铂金认证电源中，该器件可用于图腾柱无桥PFC级，显著提升功率因数校正级的效率。在DC-DC转换环节，AM3403E3R可用于同步整流、半桥或全桥拓扑，适用于中间母线转换器（IBC）和负载点（POL）电源模块。此外，该器件也适用于工业电源、可再生能源逆变器、电动车辆充电基础设施中的辅助电源和车载OBC（车载充电机）等场景。由于其高频工作能力，搭配合适的磁性元件可大幅缩小变压器和电感的体积，从而实现更紧凑的系统设计。在消费类高端电源如游戏主机、高性能计算设备中，AM3403E3R也能提供更优的能效表现。其优异的开关特性还使其适用于射频功率放大器和激光驱动等特殊应用领域。

AM3403B3R