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AM29LV641DH90REFT 发布时间 时间:2025/9/30 5:13:33 查看 阅读:5

AM29LV641DH90REFT是AMD(现为Spansion,现为Infineon Technologies旗下品牌)推出的一款高性能、低功耗的64兆位(Mb)NOR闪存芯片。该器件属于Am29LV系列,采用先进的MirrorBit技术制造,能够在单个存储单元中存储两个比特的数据,从而在不增加芯片面积的情况下实现更高的存储密度。该芯片广泛应用于需要高可靠性、快速读取和频繁固件更新的嵌入式系统中,如网络设备、工业控制系统、通信基础设施以及消费类电子产品等。AM29LV641DH90REFT支持标准的JEDEC接口,兼容通用的闪存编程和擦除命令集,便于系统集成与软件开发。其封装形式为56引脚TSOP(Thin Small Outline Package),适合空间受限的应用场景。此外,该器件工作电压为2.7V至3.6V,支持宽温度范围(工业级或扩展工业级),确保在严苛环境下稳定运行。内置的写保护机制和扇区架构设计增强了数据安全性,允许对特定区域进行独立保护,防止意外写入或擦除操作。

参数

制造商:Infineon Technologies (原Spansion)
  产品系列:Am29LV
  存储类型:NOR Flash
  存储容量:64 Mbit(8 MB)
  组织结构:4M x 16位
  工作电压:2.7 V ~ 3.6 V
  访问时间:90 ns
  接口类型:并行(x16)
  封装类型:56-TSOP
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C(工业级)
  写入/擦除耐久性:100,000次(典型)
  数据保持时间:20年(典型)
  编程电压:内部电荷泵生成
  命令集:支持CFI(Common Flash Interface)
  扇区大小:64 KB主扇区 + 8 KB小扇区
  安全功能:硬件写保护、扇区锁定、软件数据保护

特性

AM29LV641DH90REFT采用Spansion独有的MirrorBit?技术,这是一种创新的双位存储单元结构,通过在氮化物层中存储两个独立电荷来实现每个物理单元存储两个比特信息的能力。这种技术不仅显著提升了存储密度,还降低了每比特成本,同时维持了NOR闪存出色的随机读取性能和可靠性。该器件支持高速90纳秒的访问时间,适用于需要快速启动和实时执行代码(XIP, Execute-In-Place)的应用场景。其并行x16接口提供了较高的数据吞吐能力,适合连接微处理器或DSP直接进行地址/数据总线连接。
  MirrorBit技术带来的另一个优势是卓越的耐久性和数据保持能力,典型值分别达到10万次擦写周期和20年数据保持,满足工业和通信领域对长期可靠性的要求。芯片内部集成了智能算法,包括自动定时的块擦除和自定时编程功能,减少了主机CPU的干预负担,提高了系统效率。此外,该器件支持多种省电模式,如待机模式和深度休眠模式,有效降低系统整体功耗,特别适用于便携式或电池供电设备。
  在安全性方面,AM29LV641DH90REFT具备多重保护机制:包括VPP引脚上的电压检测写保护、软件命令序列保护(可防止误操作)、以及可编程的扇区锁定功能,允许用户将关键固件区域设为只读状态。它还符合JEDEC标准的Common Flash Interface(CFI),使得系统可以动态读取器件参数,实现即插即用兼容性。所有这些特性共同构成了一个高度可靠、易于集成且适应性强的非易失性存储解决方案。

应用

AM29LV641DH90REFT因其高性能、高可靠性和良好的兼容性,被广泛应用于多个高端嵌入式系统领域。在网络通信设备中,如路由器、交换机和基站控制器,它用于存储引导程序(Bootloader)、操作系统映像和配置文件,支持快速启动和远程固件升级(FOTA)。在工业自动化领域,该芯片常用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和运动控制模块中,提供稳定的代码存储环境,并能在恶劣温度条件下长期运行。
  消费类电子产品,如高端打印机、数字电视、机顶盒和智能家居网关,也大量采用此类NOR Flash作为主程序存储器,得益于其支持就地执行(XIP)的能力,无需将代码复制到RAM即可直接运行,节省了内存资源并加快响应速度。汽车电子中的信息娱乐系统、仪表盘控制单元和ADAS模块同样会使用类似规格的闪存芯片,尽管AM29LV641DH90REFT主要面向工业级应用,但在非安全关键车载系统中也有部署实例。
  此外,在医疗设备、测试测量仪器和航空电子系统中,该器件凭借其长期供货保障、高数据完整性和抗干扰能力,成为值得信赖的存储选择。由于其支持字节和字模式访问,并具备灵活的扇区划分结构,开发者可以方便地实现差分更新、日志记录和故障恢复机制,进一步增强系统的鲁棒性。随着物联网边缘节点对本地存储需求的增长,这类高性能NOR Flash仍将在需要确定性读取延迟和高可靠性的场景中发挥重要作用。

替代型号

S29GL064N90TFIR1
  S29GL064N90TFIR2
  S29GL064N90TFR1
  S29GL064N90TFR2

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