制造商：AMD
　　系列：Am29LV
　　存储类型：闪存（Flash Memory）
　　存储格式：非易失性
　　存储容量：16 Mbit
　　存储组织：2M x 8 / 1M x 16
　　封装形式：49引脚TSOP Type II 或 48引脚FBGA
　　工作电压范围：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：90ns
　　写入/擦除耐久性：典型值10万次
　　数据保持时间：典型值10年
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需高压输入
　　接口类型：并行接口（CE#, OE#, WE#, BYTE#等控制信号）
　　扇区结构：4个4KB小扇区 + 1个32KB中扇区 + 31个64KB大扇区
　　状态寄存器：支持轮询标志位检测操作完成状态
　　硬件写保护：支持通过特定引脚（WP#）实现硬件级写保护
　　待机电流：典型值20μA
　　读取电流：典型值9mA
　　编程电流：典型值20mA

AM29LV160DT-90具备多项先进特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有广泛适用性。首先，其低电压操作能力（2.7V～3.6V）使得该器件能够兼容现代低功耗系统的设计需求，避免了传统5V供电的高功耗问题，尤其适用于便携式设备和移动终端。其次，该芯片采用高效的扇区架构设计，包含多个可独立擦除的小扇区（如4KB），特别适合用于存放启动代码（Boot Code）、配置参数或固件升级过程中的临时存储区域，而其余的大容量64KB扇区则可用于批量数据存储，提升了系统的灵活性和管理效率。
　　该器件支持全芯片擦除和按扇区擦除两种模式，用户可根据实际需要选择最小粒度的操作单位，减少不必要的数据丢失风险。在编程方面，AM29LV160DT-90内置电荷泵电路，能够在内部生成所需的编程电压（约12V），从而无需外部提供高压信号，简化了外围电路设计，并提高了系统安全性。此外，它还集成了智能写保护机制，包括软件写保护和硬件写保护（通过WP#引脚控制），有效防止因误操作或电源波动导致的关键数据被意外修改或擦除。
　　为了提升系统响应速度，AM29LV160DT-90提供了90纳秒的快速读取访问时间，满足大多数实时系统的性能要求。同时，其状态寄存器支持轮询算法（Polling Algorithm），允许主机处理器在执行编程或擦除操作期间持续监测操作进度，而无需依赖定时等待，从而优化了系统资源利用率。该芯片还具备多种节能模式，在空闲状态下可自动进入低功耗待机模式，显著降低静态电流消耗，延长电池使用寿命。最后，其封装形式符合工业标准，便于PCB布局与自动化贴装，且支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下仍能稳定运行。

AM29LV160DT-90因其高可靠性、低功耗和灵活的扇区管理结构，被广泛应用于多种嵌入式系统和工业电子产品中。在通信设备领域，常用于路由器、交换机和调制解调器中作为固件存储介质，用于保存操作系统映像、配置文件和启动代码，确保设备断电后信息不丢失，并支持远程在线升级（Firmware Over-the-Air Update）。在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块，用于存储程序代码、校准数据和运行日志，其宽温特性和抗干扰能力保证了在复杂电磁环境下的稳定工作。
　　在消费类电子产品方面，AM29LV160DT-90常见于数字电视、机顶盒、打印机、数码相机等设备中，承担着系统引导程序和用户设置信息的存储任务。由于其支持快速读取和小扇区擦写，非常适合频繁更新配置信息的应用场景。此外，在汽车电子系统中，该芯片也可用于车载导航、仪表盘显示单元和ECU（电子控制单元）中，用于存储启动代码或诊断信息，满足车规级应用对数据持久性和可靠性的基本要求。
　　在医疗设备领域，一些便携式监护仪、超声设备和分析仪器也会采用此类闪存芯片来保存设备校准参数和操作记录。得益于其长达10年的数据保持能力和超过10万次的擦写寿命，AM29LV160DT-90能够在长期运行中维持数据完整性，减少维护频率。此外，该芯片还可用于军事和航空航天领域的嵌入式系统，尽管并非专门的军品级器件，但在非极端条件下仍表现出良好的稳定性与耐用性，适合用于地面站设备、无人机控制系统等对成本与性能平衡有较高要求的场合。

S29GL016D90TFIR5
　　MBM29LV160BTC-90
　　EN29LV160AT-90
　　HY29LV160BT-90
　　A29L016
　　SST39VF1601C-90