时间：2025/6/19 10:46:19
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FN21N102J500PXG 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升电路效率并降低功耗。
FN21N102J500PXG 的封装形式为 PXG，适合高密度设计要求，同时其出色的电气性能使其成为众多工业及消费类电子应用的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：21A
导通电阻（典型值）：5mΩ
栅极电荷：68nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FN21N102J500PXG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场景。
3. 高电流承载能力，适用于大功率设备。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 小型化封装 PXG，节省 PCB 空间。
6. 高可靠性设计，确保长期使用中的稳定性。
这款 MOSFET 适合以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子中的负载切换。
4. 工业自动化控制中的功率管理。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
6. 其他需要高效功率转换的应用场景。
IRF2110, STP21NF10, FDP21N10
