型号：AM29LV128ML103REF
　　制造商：AMD / Spansion / Cypress
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：128 Mbit (16 Mbyte)
　　组织结构：8M x 16 位
　　工艺技术：0.23 μm
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　待机电流：≤ 25 μA（典型值）
　　读取电流：≤ 25 mA（最大值）
　　编程/擦除电流：≤ 60 mA
　　读取访问时间：100 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：72-ball FBGA
　　接口类型：并行异步接口
　　写保护功能：支持硬件 WP# 引脚和软件锁存
　　擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
　　编程方式：字编程、缓冲编程
　　耐久性：100,000 次编程/擦除周期
　　数据保持时间：20 年（典型值）

AM29LV128ML103REF 具备多项先进特性，使其在嵌入式非易失性存储领域表现出色。首先，该器件支持低电压单电源操作，仅需 2.7V 至 3.6V 即可完成读取、编程和擦除操作，无需额外的高压编程电源，简化了系统电源设计，降低了整体功耗，特别适用于电池供电或对能耗敏感的应用场景。其次，其高速读取性能达到 100 ns 访问时间，能够满足实时操作系统（RTOS）中对快速代码执行的需求，允许处理器直接从闪存中运行程序（XIP，eXecute In Place），减少对外部 RAM 的依赖，提升系统响应速度。
　　该芯片采用灵活的存储分区结构，包含多个可独立擦除的扇区和块，用户可根据需要选择性地更新部分数据而不影响其他区域内容，极大提高了固件升级和数据管理的灵活性。所有扇区均支持软件锁存保护功能，通过特定命令序列实现写保护，防止因系统异常或软件错误导致的数据损坏。此外，硬件写保护引脚（WP#）可在上电或低功耗模式下物理锁定存储内容，增强数据安全性。
　　AM29LV128ML103REF 内置状态轮询机制和 Toggle Bit 功能，允许主机处理器实时监控编程和擦除操作的完成状态，无需外部定时器等待，提升了系统效率。它还支持突发模式下的缓冲编程技术，可将多个字节数据批量写入缓存后再统一编程，显著提高写入速度并减少总线占用时间。器件符合工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），具备高抗干扰能力和长期稳定性，适用于严苛环境下的工业控制、网络设备和车载电子系统。
　　为了确保长期供货和设计兼容性，该芯片遵循 JEDEC 标准封装和命令集，便于替代和升级。Cypress 提供完整的开发支持文档、应用笔记和编程算法，帮助开发者快速集成该器件到目标系统中。

AM29LV128ML103REF 广泛应用于各类需要高可靠性、快速读取和本地代码存储的嵌入式系统中。在通信设备领域，常用于路由器、交换机、基站控制器等产品中存储启动代码（Bootloader）、操作系统镜像和配置文件，凭借其快速启动能力和长期数据保持特性，保障设备稳定运行。在工业自动化控制系统中，该芯片用于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程 I/O 模块，存储控制程序和工艺参数，适应宽温环境和复杂电磁干扰场景。
　　在汽车电子方面，该器件可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统、车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）中，存放固件和校准数据，满足车规级可靠性和寿命要求。消费类电子产品如高端打印机、数码复印机、智能家电也采用此类 NOR Flash 存储用户界面程序和设备驱动。
　　此外，在医疗设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，AM29LV128ML103REF 因其高耐久性、低故障率和可预测的擦写行为而被选用，用于记录关键日志、保存校准系数或运行诊断程序。由于支持 XIP 模式，该芯片特别适合资源受限的 MCU 系统，使主控芯片无需外扩 ROM 即可直接执行程序，优化 BOM 成本和 PCB 空间布局。其成熟的生态系统和广泛的技术支持使其成为许多长期服役产品的首选存储解决方案。

S29GL128P_10_03_RE
　　S29GL128S_10_03_RE
　　CY29GL128E_10_03_RE