制造商：AMD
　　产品系列：Am29LV
　　存储容量：8 Mbit
　　存储结构：1 M x 8
　　供电电压：2.7 V ~ 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：PLCC-32, FBGA-48
　　读取访问时间：70 ns / 90 ns
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　接口类型：并行接口
　　写保护功能：支持低电平有效的硬件写保护（WP#）
　　待机电流：典型值 20 μA
　　编程电流：典型值 20 mA

AM29LV081B具备多项先进的功能特性，使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先，该芯片支持低电压单电源操作，在2.7V至3.6V范围内稳定运行，无需额外的编程电压（Vpp），简化了系统电源设计。其内部集成电荷泵电路，可在编程和擦除操作期间生成所需的高压，进一步降低了对外部电路的依赖。这使得AM29LV081B特别适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。
　　其次，该器件提供高效的命令集架构，用户通过向特定地址写入特定命令序列即可执行读取、编程、擦除等操作。所有写操作均由芯片内部的自动定时器控制，确保编程脉冲宽度和擦除周期的精确性，从而提高数据写入的可靠性并延长存储单元寿命。此外，AM29LV081B支持扇区擦除功能，整个存储空间被划分为多个可独立擦除的扇区（包括多个8 KB的小扇区和一个32 KB的大扇区），允许用户灵活地更新部分数据而不影响其他区域内容，极大提升了系统固件升级和数据管理的效率。
　　第三，该芯片具备强大的数据保护机制。它设有硬件写保护引脚（WP#），当该引脚拉低时可锁定前4个地址空间，防止意外修改关键代码。同时，内部逻辑会检测非法命令序列，避免误操作触发擦除或编程流程。在上电和断电过程中，AM29LV081B还具备自动写入锁定功能，防止电源不稳定时发生数据损坏。此外，该器件支持软件数据保护（Software Data Protection）功能，需在执行编程或擦除命令前发送特定的使能序列，否则操作将被拒绝，进一步增强了系统的安全性。
　　最后，AM29LV081B具有高可靠性和耐久性，典型擦写次数可达10万次以上，数据保持时间超过20年。其采用CMOS工艺制造，具备低功耗待机模式（典型待机电流仅20μA），有助于延长设备续航时间。器件还支持TTL电平兼容的I/O接口，便于与多种微控制器和处理器直接连接，无需电平转换电路。整体设计兼顾性能、功耗与可靠性，使其成为工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子等领域理想的闪存解决方案。

AM29LV081B广泛应用于需要可靠非易失性存储的各种电子系统中。在嵌入式控制系统中，常用于存储固件程序代码、配置参数和启动引导程序，例如在工业PLC、HMI人机界面和远程终端单元（RTU）中作为主程序存储器。由于其支持扇区擦除和快速读取特性，非常适合需要现场升级固件（Firmware Over-the-Air或本地升级）的应用场景。
　　在通信设备领域，AM29LV081B可用于路由器、交换机、调制解调器等网络设备中，存储操作系统映像和配置文件。其高可靠性确保在网络长时间运行过程中不会因存储故障导致系统崩溃。此外，在消费类电子产品如打印机、数码相机、POS终端和家用电器中，该芯片用于保存设备设置、用户偏好和系统日志信息。
　　在汽车电子系统中，AM29LV081B可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统和车载信息娱乐系统（IVI），存储控制逻辑和界面资源。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）满足汽车级环境要求，能够在严苛的温度条件下稳定运行。此外，该芯片也适用于医疗设备、测试仪器和军事电子设备中，作为可靠的代码和数据存储介质。得益于其并行接口和较快的访问速度，AM29LV081B在需要较高吞吐量的中低端处理器系统中仍具有较强的竞争力，尤其在替代老式EPROM和较昂贵的SRAM加电池方案方面优势明显。

S29AL008D
　　MT28F008J3
　　HY29LV081AB