制造商：AMD
　　系列：Am29LV
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：8 Mbit
　　存储结构：1M x 8
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：90ns
　　封装形式：44-SOJ, 44-TSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　写保护功能：有（硬件WP#引脚）
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　接口类型：并行接口
　　时序模式：异步
　　编程/擦除耐久性：10万次以上
　　数据保持时间：20年（典型）

AM29LV081B-90EE具备多项先进特性，使其在嵌入式闪存市场中具有较强的竞争力。首先，该器件支持低电压单电源供电，仅需2.7V至3.6V即可完成读取、编程和擦除操作，无需额外的高压编程电源，简化了电源设计并降低了系统成本。芯片内置电荷泵电路，可在内部生成所需的编程电压，进一步提升了使用的便利性。其次，该闪存支持页编程（Page Programming）功能，允许每次向一个页面写入多个字节，显著提高了编程效率，相较于传统的字节编程方式，大幅缩短了固件更新时间。
　　在数据保护方面，AM29LV081B-90EE提供了多种硬件和软件保护机制。通过WP#（Write Protect）引脚可实现硬件写保护，防止意外写入或擦除；同时支持软件数据保护算法（Software Data Protection），可有效避免因系统异常复位或总线噪声导致的误操作。此外，该芯片具备解锁旁路命令模式，能够在连续编程多个数据时减少命令开销，提高编程吞吐率。
　　该器件还支持扇区擦除功能，用户可以单独擦除8个大小为64KB的主扇区和8个大小为8KB的小扇区，这种灵活的扇区架构便于实现细粒度的数据管理与分区更新，特别适用于需要频繁更新部分固件或配置信息的应用。整片擦除功能则可用于快速清除全部内容。所有命令均通过标准CE#（Chip Enable）、OE#（Output Enable）和WE#（Write Enable）控制信号执行，兼容通用微处理器接口时序。
　　AM29LV081B-90EE具有高可靠性和长寿命，典型擦写次数可达10万次以上，数据保存时间超过20年，满足工业级应用的严苛要求。其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，可在恶劣环境下稳定运行。芯片还集成了内部状态轮询机制（Status Register Polling），允许系统在编程或擦除操作期间查询操作状态，从而实现高效的流程控制。总之，该器件结合高性能、低功耗、高可靠性和灵活的命令集，成为众多嵌入式系统中的理想选择。

AM29LV081B-90EE广泛应用于需要可靠非易失性存储的各种嵌入式系统中。常见应用包括网络通信设备，如路由器、交换机和调制解调器，用于存储启动代码（Boot Code）、操作系统映像和配置参数。在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块，实现固件存储和运行日志记录。消费类电子产品如机顶盒、打印机、数码相机和多媒体播放器也常采用该器件来保存应用程序代码和用户设置。
　　在汽车电子领域，AM29LV081B-90EE可用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制模块和车身控制模块（BCM），提供稳定的程序存储支持。由于其具备工业级温度范围和高抗干扰能力，也适用于医疗设备、测试仪器和智能电表等对可靠性要求较高的场合。此外，在军事和航空航天领域，尽管当前已有更先进的替代方案，但在一些老旧型号或长期服役系统中仍可见其身影。该芯片的并行接口设计使其能够直接连接到微控制器或DSP的外部存储器总线，无需复杂的协议转换，降低了系统复杂度。其快速读取性能（90ns访问时间）确保了代码的高效执行，有助于提升系统响应速度。总体而言，AM29LV081B-90EE是一款成熟可靠的NOR Flash解决方案，适用于中等容量、高性能、高稳定性的嵌入式存储需求。

S29AL008D-90_0C
　　SST39VF800A-90-4C-PHE
　　MX29LV800DBTI-90G
　　EN29LV800AB-90TIP