类型：Flash
　　容量：8 Mbit
　　组织结构：512K x 16
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：70ns / 90ns 可选
　　封装形式：48-pin TSOP Type I
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除 / 芯片擦除
　　数据保持时间：100年（典型值）
　　擦写寿命：100,000 次（典型值）
　　总线宽度：16位
　　JEDEC标准兼容：是
　　自动休眠模式：支持
　　硬件数据保护：支持
　　软件数据保护：支持
　　

AM29F800BT具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先，它采用了高性能的Flash存储单元设计，支持快速读取操作，访问时间可达70ns或90ns两种选项，满足不同系统对速度的需求。其次，该芯片内置电荷泵电路，可在编程和擦除过程中自动生成所需的高压，无需外部提供额外的Vpp编程电压，简化了电源设计并降低了系统复杂度。
　　该器件支持多种擦除模式，包括按扇区擦除（Sector Erase）和整片擦除（Chip Erase），其中扇区大小为64KB主扇区和8KB/16KB辅助扇区，用户可根据实际需求灵活管理存储空间，提高数据更新效率。同时，每个扇区均可独立进行写保护设置，防止误操作导致的数据丢失，增强了系统的可靠性。
　　AM29F800BT还集成了智能软件保护机制，通过特定的命令序列激活保护功能，防止病毒、恶意代码或意外写入破坏固件内容。此外，硬件写保护功能可通过将WP#引脚拉低来启用，进一步提升安全性。
　　该芯片支持低功耗管理模式，当处于待机状态时电流消耗极低，典型值仅为200μA，有助于延长电池供电设备的工作时间。输出使能（OE#）和片选（CE#）信号的组合控制允许设备进入深度省电模式，进一步优化能耗表现。
　　在可靠性方面，AM29F800BT保证每个存储单元可承受至少10万次的擦写周期，并能在断电情况下保持数据长达100年，确保长期稳定运行。其制造工艺符合工业级温度范围要求（-40°C至+85°C），适用于严苛环境下的应用。
　　最后，该器件完全兼容JEDEC标准接口，支持与大多数微控制器、微处理器及DSP无缝对接，无需额外电平转换或接口逻辑，缩短开发周期，降低设计难度。

AM29F800BT广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面和远程I/O模块中存储固件程序和配置参数，因其具备宽温工作能力和抗干扰特性，可在工厂恶劣电气环境中稳定运行。
　　在通信设备中，该芯片被用于路由器、交换机、基站控制板等设备中保存启动代码（Boot Code）、操作系统映像和网络配置信息。其快速读取能力确保了设备能够迅速完成上电自检和系统加载过程，提升整体响应速度。
　　消费类电子产品如机顶盒、打印机、数码相机等也采用AM29F800BT作为主程序存储器，用于存放BIOS或应用固件。其16位并行接口与主流嵌入式处理器天然匹配，减少了总线转换逻辑，节省PCB面积和成本。
　　此外，在汽车电子系统中，虽然当前趋势转向更高密度和更小封装的SPI NOR Flash，但在部分老款车载导航、仪表盘控制系统中仍可见到AM29F800BT的身影，主要用于存储静态地图数据或控制逻辑代码。
　　医疗设备领域也有使用案例，例如便携式监护仪、超声设备的前端控制模块中，利用其高可靠性和数据持久性来保障关键医疗数据的安全存储。
　　由于该芯片已逐步退出主流市场，目前更多用于维护现有产线或替代升级项目。许多用户正在将其迁移至现代串行NOR Flash（如Spansion S25FL系列）或兼容型替代品，以获得更小封装、更低功耗和更高集成度的优势。

S29GL008D
　　S29AL008D
　　SST39VF800A
　　EON EN29LV800AT