型号：AM29F200AT90EC
　　制造商：AMD
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：2 Mbit (256 KB)
　　组织结构：128K x 16 bits
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：90 ns
　　封装形式：28-DIP, 28-SOIC
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：12V (Vpp)
　　擦除方式：扇区擦除 / 芯片整体擦除
　　编程方式：字编程
　　接口类型：并行接口
　　写保护功能：支持硬件写保护（通过Vpp）
　　待机电流：≤ 200 μA
　　读取电流：≤ 30 mA
　　编程/擦除耐久性：10万次以上
　　数据保持时间：≥ 10年

AM29F200AT90EC具备多项关键特性，使其成为工业级和商业级嵌入式系统中广泛应用的闪存解决方案之一。首先，其90纳秒的访问时间确保了快速的数据读取性能，能够满足微控制器直接从闪存执行代码（XIP, eXecute In Place）的需求，特别适用于无需外部SRAM缓存即可运行程序的低成本系统设计。该器件采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗特性，在正常读取模式下电流消耗小于30mA，而在待机模式下可低至200μA，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
　　其次，该芯片支持灵活的擦除操作，用户可以选择对整个芯片进行批量擦除，也可以按扇区（Sector）方式进行局部擦除，每个扇区大小为64KB，这种结构允许开发者在更新部分固件时不影响其他区域的数据，提升了系统的维护效率和灵活性。编程过程通过向特定地址写入标准命令序列来启动，这些命令遵循JEDEC规范，增强了与其他开发环境和编程工具的兼容性。
　　再者，AM29F200AT90EC集成了多种保护机制以提高数据安全性。除了常规的软件写保护外，还支持通过将Vpp引脚接入12V编程电压来激活硬件写保护功能，有效防止意外修改存储内容。同时，芯片内部包含一个状态寄存器，可用于检测编程或擦除操作是否完成，或者是否存在错误情况（如超时、电压异常等），从而实现可靠的错误管理和系统诊断。
　　最后，该器件可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，符合工业级环境要求，适用于恶劣条件下的长期运行。其封装形式兼容主流贴片和插件焊接工艺，便于在不同PCB布局中使用。尽管该产品已逐步被更先进的低电压、高密度闪存替代，但在一些老旧设备维护、军工项目或特定工业控制系统中仍具重要价值。

AM29F200AT90EC广泛应用于多个领域，尤其是在需要可靠非易失性存储且对成本敏感的设计中表现突出。常见应用场景包括工业自动化控制系统中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及远程I/O模块，这些系统通常依赖于稳定的本地存储来保存启动代码和配置参数。此外，它也被用于通信基础设施设备，如路由器、交换机和调制解调器，作为BIOS或引导程序的载体，确保设备上电后能正确初始化并加载操作系统。
　　在消费类电子产品中，该芯片曾用于老式打印机、传真机、数码相机和家用游戏机等设备中，用于存放主控程序和用户设置信息。由于其具备良好的抗干扰能力和较长的数据保持时间，也适合部署在汽车电子系统中，例如车载仪表盘、ECU（电子控制单元）辅助存储或车载导航系统的固件备份模块。
　　另外，AM29F200AT90EC因其接口简单、驱动易于实现，常被选作教学实验平台和嵌入式开发板上的外置程序存储器，帮助学生和工程师学习Flash存储器的操作机制和底层编程方法。即使在当前新型串行Flash盛行的时代，该芯片依然在某些维修替换、逆向工程或兼容性升级项目中发挥着不可替代的作用，特别是在无法更换主控架构的老设备中，它是维持系统持续运行的关键组件之一。

SST39SF020A-70-4C-PHE
　　MX29F200TC-90G
　　EON EN29F200A-90TCP