制造商：AMD
　　产品系列：Am29F
　　存储容量：1 Mbit (128 KB)
　　组织结构：128K × 8 / 64K × 16
　　供电电压：5V ± 10%
　　访问时间：90 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：44-Pin SOJ (Small Outline J-Lead)
　　接口类型：并行异步
　　编程电压：内部电荷泵产生
　　写使能控制：CE#, OE#, WE#
　　数据保持时间：100 年以上
　　擦除次数：典型 100,000 次
　　待机电流：≤ 200 μA
　　读取电流：≤ 30 mA

AM29F100B-90SC 的核心特性之一是其高可靠性的 CMOS 闪存架构，采用了成熟的浮栅晶体管技术，确保数据在断电后仍能长期保存，典型数据保持能力超过 100 年，适用于关键数据存储需求。该芯片支持全芯片和扇区级别的电擦除操作，用户可以选择一次性擦除整个芯片或仅擦除特定扇区（每个扇区大小为 4KB），从而实现灵活的数据管理策略，减少不必要的整体擦除开销，延长器件寿命。其内置的嵌入式算法控制器可自动完成编程和擦除过程中的电压定时与验证操作，无需外部高压信号输入，简化了系统设计复杂度。编程操作通过标准写入命令序列触发，使用内部电荷泵生成所需的编程电压，降低了对外部电源的要求。
　　另一个重要特性是其兼容性与灵活性。AM29F100B-90SC 支持两种数据总线配置模式：当 BYTE# 引脚拉高时为 16 位模式（DQ15-A0），拉低时切换至 8 位模式（DQ7-DQ0），这使得它能够适配多种微处理器和控制器系统，无论是 8051、68K 系列还是早期的 ARM 架构均可轻松集成。此外，该器件支持 JEDEC 标准命令集，便于软件移植和开发调试。为了提升安全性，AM29F100B 提供了多重写保护机制，包括硬件级的 WP# 输入引脚控制以及软件级的数据锁定功能，可防止因意外写入或系统异常导致的重要数据丢失。在性能方面，90ns 的快速读取响应时间使其在当时的嵌入式应用中表现出色，尤其适合用于代码执行（XIP, Execute-In-Place）场景，如固件存储、BIOS 存储或实时操作系统引导程序存放。同时，其低功耗设计在待机状态下仅消耗不超过 200μA 的电流，显著优于同类产品，有助于延长电池供电系统的运行时间。

AM29F100B-90SC 被广泛应用于各类需要非易失性存储且对可靠性要求较高的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业控制设备中的固件存储，例如 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和数控机床系统，这些设备依赖稳定的启动代码和配置参数保存，而该芯片的高耐用性和长期数据保持能力恰好满足此类需求。在通信领域，它常用于路由器、交换机和调制解调器等网络设备中作为引导 ROM，用于存放 Bootloader 和初始化代码，支持系统上电自检和加载操作系统内核。消费类电子产品如老式打印机、复印机和传真机也普遍采用该型号进行配置信息和驱动程序的存储。此外，在汽车电子系统中，AM29F100B 曾用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示单元和车载诊断系统（OBD），用于记录车辆状态参数和故障码信息。由于其具备一定的抗干扰能力和宽温稳定性（尽管本型号为商业级温度范围），在医疗仪器、测试测量设备和军事电子装备中也有部署，尤其是在需要直接从闪存执行程序代码（XIP）的场合表现优异。虽然随着技术进步，串行 SPI Flash 和新型低功耗 NOR Flash 已逐步取代此类并行器件，但在系统升级成本较高或维护周期较长的旧有设备中，AM29F100B-90SC 依然发挥着重要作用，同时也是许多维修替换市场的常见元件。

MX29F100BC-90