容量：8 Mbit (1 M × 8)
　　电压范围：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：90ns
　　接口类型：并行（8位数据总线）
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：32引脚 PLCC 或 32引脚 TSOP
　　编程电压：内部电荷泵产生所需高压
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　待机电流：≤ 100μA
　　编程电流：典型值 20mA
　　擦除电流：典型值 25mA

AM29F080B-90EF 具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。首先，该芯片采用 MirrorBit 技术，这是一种创新的浮栅晶体管结构，能够在每个存储单元中存储两个比特的信息，从而提高存储密度并降低制造成本。这种技术不仅增强了数据保持能力，还显著提高了擦写耐久性，典型可支持 100,000 次编程/擦除周期，确保长期使用的稳定性。
　　其次，该器件支持低电压操作（2.7V～3.6V），兼容现代低功耗系统设计需求，并内置电荷泵电路，可在标准 I/O 电压下完成编程和擦除操作，无需外部提供高电压，简化了电源设计。此外，它具备软件数据保护机制，防止因意外写入或误操作导致的数据损坏。通过特定的命令序列才能执行编程或擦除操作，有效避免了系统噪声或异常复位引发的错误写入。
　　再者，AM29F080B-90EF 支持灵活的扇区架构，整个存储空间划分为 16 个扇区（每个 64 Kbytes），允许对单个扇区进行独立擦除，便于实现固件分段更新和数据分区管理。同时支持整片擦除功能，方便批量清除操作。其高速 90ns 读取访问时间使得 CPU 可以直接从闪存中运行程序代码，减少对外部 RAM 的依赖，优化系统资源利用。
　　该芯片还具备硬件写保护功能（通过 WP# 引脚控制），可在物理层面锁定存储内容，增强系统安全性。在功耗管理方面，提供多种省电模式，包括自动休眠模式和待机模式，待机电流低至 100μA，适合电池供电或对能耗敏感的应用场景。最后，器件符合工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），保证在恶劣环境下仍能稳定工作，适用于工业自动化、车载电子等严苛环境下的长期部署。

AM29F080B-90EF 广泛应用于多种需要可靠代码存储和数据持久化的嵌入式系统中。其主要应用场景包括工业控制系统中的 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及远程终端单元 RTU，用于存储固件、配置参数和历史数据。在通信领域，该芯片常见于路由器、交换机、基站模块等网络设备中，作为启动代码（Boot Code）或操作系统映像的存储介质，支持快速加载和稳定运行。消费类电子产品如机顶盒、打印机、数码相机等也采用此类并行 NOR Flash 来实现开机引导和用户设置保存功能。
　　在汽车电子方面，AM29F080B-90EF 可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统、车载导航系统等，满足车规级可靠性要求，即使在振动、高温或电压波动条件下也能确保数据完整性。此外，在医疗设备中，如便携式监护仪、超声成像系统等，该芯片用于存储校准数据、操作日志和诊断程序，因其具备高数据保持能力和抗干扰性能而受到青睐。
　　由于其支持 XIP（就地执行）特性，特别适合用于实时操作系统（RTOS）环境中，使 MCU 能够直接从闪存执行指令，节省外部 SRAM 成本并提升系统响应速度。在军工与航空航天领域，尽管 newer technologies have taken over, legacy systems still rely on this device for mission-critical data storage due to its proven track record and long-term availability through authorized distributors. 总体而言，尽管新型串行 QSPI 和 HyperBus 存储器正在逐步取代传统并行 Flash，但 AM29F080B-90EF 凭借其成熟生态和稳定供货渠道，在现有系统维护和升级改造中依然发挥着重要作用。

S29GL008D90TFI01
　　S29GL008D90TFR01
　　CY29F080B-90ZXC