类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit
　　组织结构：2 M x 8 位 或 1 M x 16 位
　　工艺技术：4F2 F-NOR 技术
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：48引脚 TSOP
　　编程电压：内部电荷泵提供高压
　　擦除方式：扇区擦除（4 KB / 32 KB 扇区）或整片擦除
　　编程模式：字节模式和字模式
　　接口类型：并行接口
　　写保护功能：硬件WP#引脚和软件写保护
　　待机电流：典型值为100 μA
　　编程电流：典型值为20 mA
　　封装尺寸：标准48引脚TSOP（薄型小外形封装）
　　兼容性：与通用闪存命令集（如CFI）兼容

AM29F016B-90E4C具备多项关键特性，使其成为嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。首先，该芯片采用先进的4F2 F-NOR闪存技术，具有高单元密度和良好的数据保持能力，在恶劣环境下仍能确保数据完整性。其双电压架构设计允许在较低的逻辑电压（Vcc = 2.7V～3.6V）下运行，同时通过内部电荷泵生成编程和擦除所需的高压，从而简化了系统电源设计，无需外部高压电源。这一特性特别适用于便携式设备和低功耗应用。
　　其次，AM29F016B支持灵活的擦除机制，用户可以选择对单个4KB小扇区、32KB大扇区或整个芯片进行擦除操作。这种分层擦除结构极大提升了固件更新和数据管理的效率，避免了全片擦除带来的不必要开销。配合字节和字两种编程模式，该芯片能够实现精细的数据写入控制，适用于需要频繁修改局部数据的应用场景。
　　再者，该器件内置写状态机（WSM），可在执行编程或擦除操作时自动控制内部时序和电压调节，用户只需发送命令序列即可启动操作，无需干预具体流程。WSM还提供写操作完成的状态查询机制（DQ6 toggling 和 DQ7 polling），使主控处理器能够实时监控操作进度，提高了系统的响应性和稳定性。
　　此外，AM29F016B具备硬件写保护功能（通过WP#引脚）和软件写保护机制，防止意外写入或擦除操作，增强了数据安全性。其高抗干扰能力和宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于工业和汽车级应用环境。最后，该芯片兼容公共闪存接口（Common Flash Interface, CFI），允许主机系统通过标准查询命令获取设备参数信息，便于实现多厂商闪存的互换性和系统兼容性，降低开发难度。

AM29F016B-90E4C广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和工业通信模块，其中用于存储固件程序、配置参数和日志数据。在通信设备领域，该芯片常见于路由器、交换机、基站模块和网络适配卡中，作为Boot Code存储器，支持系统上电自举和初始化操作。
　　在消费电子产品方面，AM29F016B可用于数字电视、机顶盒、打印机、数码相机和家用电器控制板，承担操作系统和应用程序代码的存储任务。其快速读取性能确保了系统启动速度和运行流畅性。
　　在汽车电子系统中，该器件适用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制模块和车身控制单元（BCM），满足车规级环境下的长期稳定运行需求。此外，在医疗设备、测试仪器和军事电子设备中，由于其高可靠性和数据保持能力，也被用作关键数据和校准信息的存储介质。
　　由于其并行接口特性，AM29F016B特别适合与传统微控制器（如8051、ColdFire、ARM7等）或DSP处理器配合使用，构建成本效益高且性能稳定的嵌入式平台。其标准化命令集和CFI支持也便于实现多供应商兼容设计，降低供应链风险。

S29GL016D-90TFIR
　　MX29LV160CT-90G
　　EN29LV160AB-90TCP