制造商：AMD (现 Spansion)
　　类型：NOR Flash
　　存储容量：1 Mbit (128 KB)
　　组织结构：128K × 8 位
　　工艺技术：3.3V CMOS
　　电源电压：4.5V - 5.5V（Vcc）
　　访问时间：90 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：44-pin TSOP-I 或 48-ball FBGA
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：整片擦除或按扇区擦除（每扇区 64KB）
　　接口类型：并行接口
　　写保护功能：有（通过 Vpp 引脚或软件命令）
　　数据保持时间：≥ 10 年
　　擦写耐久性：≥ 100,000 次

AM29F010B-90FC 具备多项关键特性，使其在嵌入式系统和固件存储应用中表现出色。首先，其高速读取性能（90ns 访问时间）确保了微控制器或处理器能够快速获取存储在 Flash 中的代码，提升系统启动速度和运行效率，特别适用于 BIOS、固件和引导程序的存储场景。其次，该芯片采用单一电源供电（通常为 5V），内部集成电荷泵电路，在编程和擦除操作时自动生成所需的高压，无需外部提供额外的 Vpp 编程电压，大大简化了系统电源设计，降低了整体成本和复杂度。此外，AM29F010B 支持两种擦除模式：整片擦除和扇区擦除。其中，扇区擦除功能允许用户仅擦除部分数据区域，保留其他重要信息，提高了存储管理的灵活性和效率。该器件还提供了软件写保护机制，可通过特定命令序列锁定芯片内容，防止误擦除或非法写入，增强了数据安全性。
　　另一个重要特性是其强大的命令集和状态检测机制。通过向特定地址写入预定义的命令序列，用户可以控制芯片执行编程、擦除、查询等操作。在执行长时间操作（如擦除）期间，器件提供多种状态反馈方式，包括数据轮询（Data# Polling）和 Toggle Bit 输出，使主机能够准确判断操作是否完成，而无需依赖固定延时，提升了系统响应效率和可靠性。该芯片还具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，适合电池供电或对功耗敏感的应用。可靠性方面，AM29F010B-90FC 经过严格测试，具备出色的抗干扰能力和长期数据保持能力（超过10年），并可在工业级温度范围内稳定工作，适应恶劣环境。尽管该型号已逐渐被更先进的低电压、串行接口 Flash 所取代，但其成熟的并行接口设计和广泛的兼容性使其在旧设备维护、工业控制系统升级和教学实验中依然具有不可替代的价值。

AM29F010B-90FC 广泛应用于各类需要非易失性程序存储的嵌入式系统中。最常见的用途是作为计算机和工控设备的 BIOS 存储器，用于保存开机自检（POST）程序和系统配置信息，因其高可靠性和快速读取能力，确保系统稳定启动。在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，该芯片用于存储固件和协议栈代码，支持远程升级和配置管理。工业自动化领域中，PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和数据采集设备常采用 AM29F010B-90FC 来保存控制程序和校准数据，其宽温特性和抗干扰能力保证了在复杂电磁环境下的稳定运行。消费类电子产品如老式打印机、数字相机、DVD 播放器等也曾广泛使用该型号进行固件存储。此外，在汽车电子系统中，如车载仪表盘、ECU（电子控制单元）和车载娱乐系统中，该芯片可用于存储启动代码和配置参数。由于其并行接口与多种微控制器和处理器兼容，AM29F010B-90FC 也常被用于开发板、教学实验平台和原型验证系统中，帮助工程师进行嵌入式软件调试和系统测试。尽管随着技术发展，串行 Flash 和 SPI 接口器件逐渐成为主流，但在许多 legacy 系统维护和备件替换场景中，AM29F010B-90FC 仍然是不可或缺的关键元器件。

SST39SF010A-70-4C-PHE
　　EON EN29F010-12PC
　　ISSI IS29F010AB-90PBF
　　SPANSION S29AL010D