型号：AM29DL163DB-90VI
　　制造商：AMD / Spansion
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit (2 MB)
　　组织结构：2,097,152 x 8-bit / 1,048,576 x 16-bit
　　工艺技术：45nm MirrorBit工艺
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：48-pin TSOP Type I
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　待机电流：典型值 20 μA
　　读取电流：典型值 15 mA
　　编程/擦除电流：典型值 30 mA
　　写保护功能：支持硬件WP#引脚保护
　　擦除耐久性：100,000次擦写周期（典型）
　　数据保持时间：20年（典型）
　　接口类型：异步并行接口
　　兼容标准：符合JEDEC标准封装与引脚定义

AM29DL163DB-90VI采用了Spansion独有的MirrorBit?技术，这项技术通过在每个存储单元中存储两个独立的数据位，显著提高了存储密度而不增加芯片面积，从而实现了更高的性价比和更小的封装尺寸。这种创新的单元结构利用了氮化物层中的电荷陷阱效应来捕获电子，相比传统浮栅技术具有更好的数据保持能力和抗辐射性能。该器件支持快速随机读取操作，90ns的访问时间使其非常适合用于直接从Flash执行代码（XIP, eXecute In Place）的应用场合，无需将程序加载到RAM即可运行，节省系统资源并加快启动速度。
　　该芯片内置了高效的嵌入式算法控制器，能够自动完成编程和扇区擦除操作，用户只需通过简单的命令序列即可启动相应流程，大大简化了软件设计复杂度。同时，器件提供了完整的状态轮询机制和Toggle位输出功能，允许系统实时监控操作进度并在完成后立即响应，提升了整体操作效率。为了增强系统可靠性，AM29DL163DB-90VI具备硬件写保护功能，当WP#引脚被拉低时，可以防止意外修改关键扇区内容，如引导代码区域，避免因误操作导致系统崩溃。
　　此外，该器件支持多种电源管理模式，包括备用模式和深度掉电模式，在非工作状态下可有效降低功耗，延长电池供电设备的续航时间。其宽温工作范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。AM29DL163DB-90VI还符合RoHS环保要求，采用无铅封装工艺，适应现代绿色电子产品的设计趋势。尽管该型号目前已逐步进入停产阶段，但由于其成熟稳定的性能表现，仍在许多存量项目和维修替换市场中广泛使用。

AM29DL163DB-90VI主要用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中，典型应用场景包括网络路由器、交换机和防火墙等通信设备中的固件存储，确保设备在断电后仍能保留配置信息和操作系统代码。在工业自动化领域，它常被用作PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块的程序存储器，支持现场升级和参数保存功能。
　　在消费类电子产品中，该芯片可用于打印机、POS终端、机顶盒和智能家居控制器等设备，存储启动引导程序和应用程序代码。由于其支持XIP（就地执行）模式，CPU可以直接从Flash中读取指令运行，减少了对外部RAM的需求，降低了系统成本。
　　此外，AM29DL163DB-90VI也适用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘控制模块和ADAS（高级驾驶辅助系统）中的配置存储单元，满足车规级对数据持久性和环境适应性的严苛要求。在医疗设备、测试仪器和航空航天等领域，该器件因其高可靠性和长期数据保持能力而受到青睐，用于存储校准数据、设备日志和安全认证信息。
　　由于其并行接口设计，该芯片特别适合与微控制器、DSP或FPGA搭配使用，尤其在那些尚未迁移到串行Flash架构的老式或高性能要求系统中仍然具有重要地位。虽然目前主流趋势转向SPI/QSPI等串行接口Flash，但在需要高吞吐量和低延迟访问的场合，AM29DL163DB-90VI依然展现出不可替代的优势。

S29GL032M-90TFI020
　　EN29LV160AB-90TIP3