制造商：AMD / Spansion
　　系列：Am29DL
　　存储容量：16 Mbit
　　存储组织：2 M × 8 或 1 M × 16
　　电压范围：2.7 V 至 3.6 V
　　访问时间：90 ns
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP-48
　　接口类型：并行
　　写使能：支持 CE#, OE#, WE# 控制
　　扇区结构：包含多个可独立擦除的扇区（如一个4 KB小扇区，若干32 KB和64 KB大扇区）
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　待机电流：典型值为10 μA
　　编程/擦除耐久性：100,000次循环
　　数据保持时间：超过20年

AM29DL163CT-90EI 采用了Spansion独有的MirrorBit技术，这项创新性的浮栅技术通过在每个存储单元中存储两个比特信息，显著提高了存储密度，同时降低了制造成本。该技术利用了局部化的电荷存储区域，在同一物理单元内实现双位存储，从而在不缩小工艺尺寸的前提下提升了容量。这种设计不仅增强了集成度，还改善了数据保留能力和抗干扰性能。该芯片支持两种工作模式：读取模式和编程/擦除模式。在正常读取操作中，仅需标准的地址与数据总线信号即可完成高速访问，访问时间低至90ns，适合直接执行代码（XIP, eXecute In Place）应用，无需将程序加载到RAM中即可运行，有效节省系统资源。
　　该器件具备强大的写保护功能，包括硬件WP#引脚控制和软件数据保护算法。软件数据保护通过特定的命令序列激活，能够自动检测非法地址写入并阻止对存储器的误编程或误擦除操作，极大提升了系统的可靠性和稳定性。内部嵌入的状态机可自动管理编程和擦除流程，用户可以通过轮询DQ6和DQ7输出位判断操作是否完成，也可使用DQ5超时标志检测异常情况，从而实现高效的错误处理机制。芯片支持整片擦除和按扇区擦除两种方式，扇区结构设计灵活，包含一个4KB的小扇区用于存放关键配置参数，其他为32KB或64KB的大扇区，便于进行固件分区管理和增量更新。
　　在功耗管理方面，AM29DL163CT-90EI 提供多种节能模式，包括自动休眠模式和深度待机模式，能够在空闲期间大幅降低电流消耗，典型待机电流仅为10μA，非常适合电池供电或对能耗敏感的应用环境。所有操作均在单一3V电源下完成，无需额外的Vpp编程电压，简化了电源设计。该芯片符合工业级环境标准，能在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，具备良好的抗静电和抗辐射能力，适用于严苛的工业和车载环境。此外，其封装符合RoHS指令，不含铅等有害物质，满足现代电子产品绿色环保的要求。

AM29DL163CT-90EI 广泛应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。常见用途包括工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及现场总线模块，其中用于存储固件、配置参数和实时日志数据。在网络通信设备领域，该芯片常被用于路由器、交换机、DSL调制解调器和无线接入点中，作为启动代码（Boot Code）的存储介质，支持快速上电自检和系统初始化。在消费类电子产品中，如机顶盒、数字电视、多媒体播放器和智能家电，该闪存可用于保存操作系统映像和用户设置信息，确保断电后数据不丢失。汽车电子系统也是其重要应用场景之一，例如车载导航系统、仪表盘控制单元和车身控制模块，利用其宽温特性和高可靠性保障行车安全。此外，在医疗设备、测试测量仪器和POS终端等对数据完整性要求较高的设备中，AM29DL163CT-90EI 可提供稳定的长期数据存储解决方案。由于支持XIP（就地执行）功能，处理器可以直接从该芯片读取并执行代码，减少了对外部RAM的需求，优化了系统架构和成本。其灵活的扇区结构使得固件升级更加安全高效，可以在保留原有配置的同时仅更新特定功能模块。整体而言，该芯片适用于任何需要中等容量、高可靠性、低功耗和工业级性能的嵌入式非易失性存储场合。

S29GL016D-90EIR4