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AM29C668-1JC PLCC 发布时间 时间:2025/12/28 3:40:26 查看 阅读:11

AM29C668-1JC是一种由AMD(现为Spansion)生产的高性能CMOS闪存存储器芯片,属于Am29DL系列的并行NOR Flash产品。该器件采用PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)封装形式,具有64 Mbit(8MB)的存储容量,组织方式为8M x 8位或4M x 16位,支持字节和字模式访问,适用于需要高可靠性和快速读取性能的应用场景。AM29C668-1JC具备快速访问时间(典型值为120ns),适合用于嵌入式系统、工业控制设备、通信基础设施以及消费类电子产品中的程序存储和数据存储需求。该芯片支持标准的微处理器接口时序,能够与大多数通用微控制器和微处理器直接连接而无需额外的逻辑电路。其内部采用Erase & Program可靠性增强技术,确保在恶劣环境下的稳定运行。此外,AM29C668-1JC集成了多种保护机制,包括软件数据保护、VPP写保护以及硬件写保护功能,防止因误操作或电源波动导致的数据损坏。整个器件设计符合工业级温度范围要求(-40°C至+85°C),适用于严苛的工作环境。随着技术的发展,该型号已逐步被更先进的MirrorBit? Flash技术产品所取代,但在一些老旧系统维护和备件替换中仍具应用价值。
  

参数

制造商:AMD (Advanced Micro Devices)
  产品系列:Am29DL
  产品型号:AM29C668-1JC
  封装类型:PLCC
  引脚数:52
  存储容量:64 Mbit
  存储结构:8M x 8 / 4M x 16
  工作电压:5.0V ± 10%
  访问时间:120ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  存储器类型:NOR Flash
  编程电压:12V VPP(可选)
  接口类型:并行
  擦除方式:扇区/整片擦除
  写保护功能:有
  封装尺寸:约11.9mm x 11.9mm
  重量:约0.3g

特性

AM29C668-1JC具备多项关键特性,使其在早期嵌入式系统中广受欢迎。首先,其高速读取性能(120ns访问时间)确保了代码执行效率,特别适用于需要从Flash直接运行程序(XIP, eXecute In Place)的应用场合。其次,该器件支持灵活的扇区架构,允许对存储器进行细粒度管理,其中包含多个可独立擦除的扇区(如32个2Kword扇区和8个32Kword主扇区),便于实现固件更新、配置数据保存等功能,同时减少不必要的全片擦除操作,提升系统寿命与响应速度。此外,芯片内置的Embedded Algorithms(嵌入式算法)包括Embedded Erase和Embedded Program功能,极大简化了主机处理器的编程负担,只需发送初始命令流,后续操作由芯片内部控制逻辑自动完成,并提供状态位反馈以供查询进度。
  另一个重要特性是强大的数据保护机制。AM29C668-1JC支持软件写保护(通过特定命令序列启用/禁用)、VPP电压检测写保护以及硬件写保护(通过将WE#信号保持低电平)。这些多层次保护有效防止意外写入或擦除,尤其在系统上电/掉电过程中避免数据丢失。此外,该芯片兼容JEDEC标准命令集,具备良好的互换性和开发便利性,开发者可以使用通用编程器进行烧录,也易于集成到现有系统中。最后,该器件采用CMOS工艺制造,具有较低的静态功耗,在待机模式下电流可低至数微安级别,有助于延长电池供电设备的续航时间,尽管其编程和擦除过程仍需较高功耗。整体而言,AM29C668-1JC是一款成熟可靠的并行NOR Flash解决方案,代表了上世纪末主流闪存技术的设计理念与工程实现水平。

应用

AM29C668-1JC广泛应用于多种需要非易失性程序存储的嵌入式系统领域。在通信设备中,它常用于路由器、交换机和基站模块中存储启动代码(Bootloader)、操作系统镜像及配置参数,得益于其快速读取能力和高可靠性。工业控制系统如PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)终端和远程I/O模块也大量采用此类Flash芯片,用于固化控制程序和保存校准数据。此外,在医疗仪器、测试测量设备、POS终端和老式多媒体播放器中,AM29C668-1JC作为主程序存储器,支持系统快速启动和稳定运行。由于其并行接口特性,适用于总线结构明确、地址/数据线资源充足的微处理器系统,例如基于8051、68k、ARM7等架构的传统设计。尽管现代设计已转向串行SPI/QSPI Flash以节省空间和引脚数量,但该芯片仍在设备维修、备件更换和遗留系统升级中发挥重要作用。其工业级温度适应能力也使其适合部署于户外或高温环境中运行的设备。此外,在教育实验平台和原型开发板中,AM29C668-1JC因其接口直观、资料相对完整而被用于教学演示和底层存储原理研究。
  

替代型号

S29GL064N90TFIR2
  S29AL032D90TFI020
  CY29F040B-12ZC

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