类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：75V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.5mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

KSP44D75Z MOSFET 的核心优势在于其卓越的导通性能和热管理能力。由于采用了先进的沟槽式技术，该器件的导通电阻非常低，这显著减少了导通损耗并提高了整体效率。在实际应用中，这种低导通电阻可以减少功率损耗，从而提高系统的能量利用率。此外，KSP44D75Z 具有较高的耐压能力，能够在较高的漏源电压下稳定工作，使其适用于需要高电压隔离的应用场景。
　　另一个关键特性是其优异的热稳定性。KSP44D75Z 的封装设计允许有效的热量散发，从而避免因过热而导致的性能下降或器件损坏。这一特性在高功率应用中尤为重要，因为这些应用通常会产生大量热量。通过良好的热管理，KSP44D75Z 能够在长时间运行的情况下保持稳定性能。
　　该器件还具有较高的栅极驱动兼容性，能够与多种常见的驱动电路配合使用，简化了电路设计和集成。此外，KSP44D75Z 提供了出色的短路保护能力和过载能力，增强了其在恶劣环境下的可靠性。

KSP44D75Z 主要用于高功率和高效率的电子系统中，例如：
　　1. 电源供应器：用于工业和消费类电子产品的高效电源管理模块。
　　2. DC-DC转换器：适用于电动汽车、太阳能逆变器和电池管理系统中的电压转换需求。
　　3. 电动机控制器：用于工业自动化和机器人系统中的电动机驱动电路。
　　4. 功率放大器：在音频和射频功率放大器中用于高效的信号放大。
　　5. 电池管理系统：用于电动汽车和储能系统中的电池充放电控制。
　　6. 工业自动化设备：作为高功率开关，用于控制工业设备的电力供应。

IPB075N10N5, STD100N7F7, IRF1405