制造商：AMD
　　系列：AM29C660
　　存储类型：Flash
　　存储容量：32 Mbit
　　存储格式：2M x 16
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：80
　　最大访问时间：70ns / 90ns（依具体型号而定）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　接口类型：并行
　　写保护功能：支持软件写保护
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　编程耐久性：典型10万次擦写周期
　　数据保持时间：典型10年

AM29C660C/BZC 具备多项先进的技术特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有显著优势。首先，其采用的 3.3V 单电源供电设计简化了系统电源架构，无需额外提供高编程电压，内部集成电荷泵电路可自动生成编程所需的高压，从而支持在线编程操作，极大提升了系统升级和维护的便利性。其次，该芯片支持灵活的扇区架构，存储空间被划分为多个可独立擦除的扇区（包括多个 16KB、8KB 和 32KB 的小扇区以及主块区域），允许用户精细管理数据更新过程，避免整片擦除带来的风险与耗时。这种设计特别适用于需要频繁更新固件或配置参数的应用场景。
　　该器件支持标准的命令用户接口（Command User Interface, CUI），通过向特定地址写入特定命令序列来实现芯片的读取、编程、擦除和查询等操作。例如，使用“解锁旁路命令”可加快批量编程速度；“自动选择模式”可用于识别厂商代码和设备 ID，便于系统调试和兼容性检测；“写入状态寄存器命令”则允许监控编程或擦除操作的完成状态，确保数据操作的可靠性。此外，AM29C660C/BZC 内置写入状态机（Write State Machine, WSM），一旦启动编程或擦除操作，WSM 将自动执行所有必要的步骤，包括定时、验证和重试机制，减轻了 CPU 的负担，并提高了操作的成功率。
　　在可靠性方面，该芯片具备优异的数据保持能力（典型值10年以上）和高耐久性（10万次擦写周期），适合长期运行的工业和通信设备。同时，其 CMOS 工艺保证了低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的工作时间。封装形式采用 80 引脚 TSOP（Thin Small Outline Package），具有良好的散热性能和紧凑的占板面积，适用于高密度 PCB 设计。尽管该型号已逐步被更先进的 NOR Flash 技术替代，但其稳定的性能和广泛的兼容性仍使其在一些 legacy 系统中持续发挥作用。

AM29C660C/BZC 广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在通信设备领域，它常被用于存储路由器、交换机和基站的启动代码（Boot Code）、操作系统映像和配置文件，其快速读取能力和高可靠性确保了设备的稳定启动和运行。在工业控制系统中，该芯片可用于保存 PLC（可编程逻辑控制器）的固件、用户程序和校准数据，支持现场升级且具备抗干扰能力强的特点，适应恶劣的工业环境。
　　在网络设备中，如防火墙、网关和网络附加存储（NAS）设备，AM29C660C/BZC 提供足够的存储空间用于存放引导程序和安全固件，其扇区擦除功能使得固件更新更加安全高效。在消费类电子产品中，如机顶盒、打印机和智能家电，该芯片用于存储主控程序和用户界面资源，支持快速启动和稳定运行。
　　此外，在汽车电子系统中，该器件可用于车身控制模块、仪表盘和车载信息娱乐系统中，存储关键控制程序和配置参数。由于其工作温度范围宽（-40°C 至 +85°C），能够适应汽车在极端气候条件下的运行需求。医疗设备中也可见其身影，用于保存设备校准数据和操作日志，确保数据长期可靠存储。虽然随着串行 Flash 和新型存储技术的发展，AM29C660C/BZC 在新设计中逐渐减少，但在大量现有系统维护和替换场景中仍具有重要价值。

S29GL032N_70_90_100
　　S29AL032D
　　MT28EW032A
　　CY29SJ032B