时间：2025/5/24 10:45:39
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FV21N680J102ECG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，由知名半导体厂商生产。该器件属于N沟道增强型功率MOSFET，主要应用于需要高效开关性能和低导通电阻的场景。其先进的制程工艺使得它在高温、高电流环境下仍然保持出色的性能表现。
FV21N680J102ECG采用TO-247封装形式，具有较大的散热片设计，适用于工业级和消费级应用中的电源管理模块。由于其高耐压特性和低导通损耗，这款器件广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。
最大漏源电压：680V
最大连续漏极电流：21A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：0.15Ω
总功耗：390W
工作温度范围：-55℃至+175℃
FV21N680J102ECG的核心特性包括：
1. 高耐压能力：额定漏源电压为680V，适用于高压环境下的开关电路。
2. 低导通电阻：典型值为0.15Ω，有助于降低功率损耗并提升效率。
3. 快速开关性能：具备较低的输入电容和输出电容，支持高频开关操作。
4. 稳定的工作温度范围：能够在极端温度条件下正常运行，适应恶劣环境。
5. 高可靠性：通过严格的制造工艺控制和质量测试，确保长期稳定使用。
6. TO-247封装：提供优秀的散热性能，适合大功率应用场景。
FV21N680J102ECG的主要应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）：
- 工业级AC-DC转换器
- 大功率适配器
2. 电机驱动：
- 电动工具
- 家用电器中的直流电机控制
3. 逆变器：
- 光伏逆变器
- 不间断电源（UPS）系统
4. 工业自动化：
- 可编程逻辑控制器（PLC）
- 工业机器人驱动电路
此外，该器件还被广泛应用于汽车电子和其他需要高效率、高可靠性的电力转换设备中。
FV22N680J102ECG, FV21N680J101ECG
