类型：并行 Flash 存储器
　　容量：512 Kbit (64KB)
　　组织结构：64K x 8 位
　　工艺技术：CMOS
　　工作电压：+5V ± 10%
　　访问时间：120ns 最大值
　　封装形式：40 引脚 DIP（PDIP）
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　编程方式：单电源供电在线编程（无需额外 Vpp 高压）
　　擦除方式：扇区擦除（Sector Erase）或整片擦除（Chip Erase）
　　接口类型：并行地址/数据总线
　　写保护功能：支持硬件写保护（通过特定控制信号）
　　待机电流：典型值 200μA（进入低功耗模式后）
　　工作电流：典型值 30mA（读取模式）
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压，仅需单一 +5V 供电

AM28F512-120PC 具备多项关键特性，使其在 1990 年代至 2000 年初期广泛应用。首先，它采用单电源 +5V 供电进行读写与擦除操作，消除了传统 EPROM 所需的额外编程电压（如 +12V Vpp），极大地简化了硬件设计，降低了系统复杂性和成本。其次，该芯片内置电荷泵电路，能够在内部生成擦除和编程所需的高电压，从而实现全功能的电可擦除操作而无需外部高压支持。这一特性使得 AM28F512 特别适合于现场升级固件的应用环境。
　　该器件支持两种擦除模式：扇区擦除和整片擦除。扇区结构通常划分为多个可独立擦除的区块（例如主存储区加一个或多个小扇区），允许用户对部分数据进行更新而不影响其余内容，提升了灵活性和使用寿命。此外，芯片提供字节级编程能力，可以逐字节写入新数据，配合状态轮询机制（Status Polling）可检测编程是否完成，确保操作可靠性。
　　AM28F512 还具备硬件写保护功能，通过将 WE#、CE# 和 OE# 控制信号设置为特定组合，可防止意外写入或擦除，增强数据安全性。其并行接口支持标准的地址/数据总线连接，兼容大多数微处理器系统总线时序，易于集成到基于 8 位或 16 位 CPU 的嵌入式系统中。同时，芯片具备低功耗待机模式，在不操作时自动降低电流消耗，有助于节能设计。
　　虽然其 120ns 的访问速度在现代标准下较慢，但在当时的主流 MCU 和 DSP 系统中完全满足性能要求。AM28F512-120PC 还具备较高的耐用性，典型擦写寿命可达 10,000 次以上，并保证数据保存时间超过 10 年。这些特性共同构成了其在嵌入式非易失性存储领域的重要地位。

AM28F512-120PC 主要用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统和工业电子设备中。典型应用场景包括作为微控制器系统的启动程序存储器（Boot ROM），存放开机自检代码、引导加载程序（Bootloader）或基本输入输出系统（BIOS）固件。在通信设备中，它可用于存储协议栈配置、网络参数或设备校准数据，确保断电后信息不丢失。此外，在工控系统如 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和自动化仪表中，该芯片常被用来保存运行逻辑、用户设定值和故障日志等关键信息。
　　由于其并行接口特性，AM28F512 能够直接挂接在 8 位或 16 位微处理器的数据总线上，适用于 Z80、8051、68K、DSP 等架构的系统设计。在老式打印机、传真机、POS 终端和测量仪器中也常见其身影。对于需要现场升级但不具备复杂文件系统的设备，该芯片提供了简单高效的固件更新方案。开发人员可通过专用编程器将其烧录后插入电路板，也可通过 ISP（In-System Programming）方式在目标板上直接更新内容。
　　此外，AM28F512 还适用于教学实验平台和原型开发系统，因其接口直观、时序清晰、资料相对丰富，便于学生理解存储器工作原理和总线操作机制。尽管当前已逐步被更高密度、更低功耗的串行 Flash（如 SPI Flash）替代，但在设备维修、备件替换和 legacy system 维护中，AM28F512-120PC 仍具有实际应用价值。

SST39SF040-70-4C-PHE
　　MX29F512-12B
　　AMD AM28F512-120JC
　　Intel TE28F512-120