型号：AM28F020-120JC
　　制造商：AMD
　　存储容量：2 Mbit (256 KB)
　　组织结构：256K x 8位
　　封装类型：32引脚DIP（Dual In-line Package）
　　工作电压：5V ± 10%（4.5V 至 5.5V）
　　访问时间：120 ns
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　封装形式：JEDEC标准DIP
　　擦除方式：扇区擦除（8个32KB扇区）或整片擦除
　　编程方式：字节编程
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　待机电流：典型值为200 μA
　　工作电流：典型值为30 mA

AM28F020-120JC具备多项关键特性，使其在早期嵌入式系统中广泛应用。首先，其256KB的存储空间以8位并行接口组织，适合与8051、68HC11、Z80等经典微控制器直接连接，无需复杂的地址解码逻辑。该芯片采用EEPROM技术基础上发展的闪存架构，能够在单一5V电源下完成读取、编程和擦除操作，极大简化了系统电源设计。内部集成的电荷泵电路可在编程时自动生成所需的高压，避免了传统EPROM需要紫外擦除和高压编程的不便。
　　该器件支持两种擦除模式：可以对全部存储空间进行整片擦除，也可以按32KB大小的扇区分别擦除，提供了灵活的数据管理能力。每个扇区可独立擦写，便于实现固件更新、参数保存等功能。芯片内建命令寄存器，通过向特定地址写入标准命令序列（如Intel命令集）来控制编程和擦除操作，提升了软件控制的标准化程度。此外，AM28F020-120JC具有较高的耐久性和数据保持能力，典型情况下可支持至少10,000次擦写循环，数据可保存长达10年，在当时的技术条件下表现出色。
　　为增强系统稳定性，该芯片提供硬件写保护功能，通过WP#引脚实现对外部写操作的物理锁定，防止意外修改关键数据。同时具备输出使能（OE#）和芯片使能（CE#）控制信号，支持低功耗待机模式，有效降低系统整体功耗。器件还具备上电复位检测功能，在电源上升过程中自动进入只读状态，防止启动期间发生误操作。其120ns的访问时间满足多数中低速处理器系统的时序要求，兼顾性能与成本。虽然现代闪存已在密度、速度和功耗方面大幅超越此类早期产品，但AM28F020-120JC在历史上的普及性使其成为许多工业设备维护中的重要参考型号。

AM28F020-120JC主要应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。典型用途包括工业自动化控制设备中的固件存储，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，用于保存启动代码和配置信息。在通信领域，该芯片曾广泛用于调制解调器、网络交换机和路由器中存储引导程序（Bootloader）。此外，在办公设备如激光打印机、传真机中，用于存放字体库、控制程序和用户设置参数。
　　消费类电子产品也是其重要应用方向，例如早期的数码相机、音频播放器和家用游戏机，利用其快速读取能力和掉电数据不丢失特性来存储系统代码。在汽车电子中，部分车载仪表盘、ECU（电子控制单元）调试板也曾采用此类芯片进行程序烧录和测试验证。由于其DIP封装易于焊接和更换，常被用于教学实验板、开发评估板和原型设计阶段，方便工程师进行固件迭代和调试。
　　此外，AM28F020-120JC也常见于军事和航空电子设备的老旧系统中，作为BIOS或配置存储器使用。尽管当前主流设计已转向更高密度、更小封装的SPI NOR Flash或串行闪存，但在设备维修、备件替换和逆向工程中，了解该芯片的应用场景仍具有现实意义。其并行接口特性决定了它适用于地址/数据总线开放的系统架构，尤其适合从EPROM升级而来的设计项目。

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　　M29F020B-120KC1T
　　EN29LV020-12PC