型号：AM2864AE250DC
　　制造商：AMD
　　存储容量：8K x 8位（64Kbit）
　　封装类型：28引脚DIP
　　工作电压：5V ±10%
　　访问时间：250ns（最大值）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　输入电平：TTL兼容
　　输出驱动能力：单负载TTL
　　功耗（典型）：静态约10mW，动态随频率变化
　　封装引脚间距：2.54mm（0.1英寸）
　　存储器类型：异步CMOS SRAM

AM2864AE250DC的最核心优势在于其采用先进的CMOS制造工艺，这使得它在保持高性能的同时实现了极低的静态功耗。在待机或非活动状态下，该SRAM的电流消耗非常小，通常低于1mA，这对于依赖电池供电或注重能效的系统来说至关重要。相比同期的双极型SRAM，其功耗可降低一个数量级以上，极大地延长了系统运行时间和减少了散热需求。该芯片具备全静态设计，意味着只要供电持续存在，数据就可以无限期保持而无需刷新操作，简化了系统设计并提高了可靠性。其250ns的访问时间在发布时期属于高速级别，足以匹配当时主流的8位和16位微处理器，如Z80、8086/8088等，确保系统总线操作流畅无等待状态。
　　该器件的引脚排列遵循标准SRAM布局，包含8位数据总线（I/O0-I/O7）、13位地址总线（A0-A12）、片选信号（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），便于系统集成与PCB布线。所有输入端均兼容TTL电平，可以直接与微控制器或逻辑电路连接而无需额外的电平转换电路，降低了整体系统复杂性和成本。封装采用28引脚DIP，方便手工焊接和插拔更换，适用于原型开发和小批量生产环境。AM2864AE250DC还具备良好的抗干扰能力和稳定性，在电磁环境复杂的工业现场仍能可靠工作。虽然现代SRAM已普遍采用更小封装和更低电压，但该芯片因其成熟的设计和长期验证的可靠性，仍在某些高可靠性维修备件市场中被使用。

AM2864AE250DC主要应用于需要稳定、可靠且中等容量存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括老式工业控制系统中的数据缓存、PLC模块的临时存储单元、通信基站内的协议处理缓冲区以及传真机、激光打印机等办公设备的页面缓冲存储。由于其TTL兼容性和5V供电特性，它常被用于与8位微处理器或微控制器协同工作的系统中，作为程序存储或高速数据暂存区域。在军事和航空航天领域的一些老旧装备中，由于系统升级周期长且对元器件寿命和一致性要求极高，AM2864AE250DC也曾作为关键组件使用。此外，在教育实验平台和电子爱好者项目中，该芯片因其接口简单、时序清晰而被用作学习SRAM工作原理的教学工具。尽管当前主流设计已转向更高速、更高密度的存储方案，但在设备维护、备件替换和复古计算（retro computing）社区中，AM2864AE250DC仍具有不可替代的作用，尤其是在修复或复制上世纪末的计算机系统时。

CY7C199-25PC
　　IS62C256AL-25L
　　AS6C62256-55PCN