型号：AM2864AE-250DT
　　制造商：AMD
　　存储容量：8K x 8 位（64 Kbit）
　　组织结构：8192 字 x 8 位
　　工作电压：5V ±10%（4.5V ~ 5.5V）
　　访问时间：250 ns（最大值）
　　封装类型：28-pin DIP 或 SOIC
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）或工业级（-40°C 至 +85°C），具体依后缀而定
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　工作模式：异步静态 RAM
　　读写控制信号：CE#（片选）、OE#（输出使能）、WE#（写使能）
　　功耗类型：静态电流与动态电流结合，典型待机电流低于 100 μA，运行时电流随频率变化
　　数据保持电压：通常不低于 2V

AM2864AE-250DT 采用高性能 CMOS 技术，确保了在高速操作下的低功耗表现，尤其适用于需要长时间运行且对散热敏感的应用场景。其核心特性之一是异步访问架构，允许系统无需时钟同步即可进行地址和数据的传输，简化了与多种微处理器（如 8086、68000 等）的接口设计。
　　该芯片提供三态输出功能，支持多芯片共享同一数据总线，通过 OE#（输出使能）引脚实现输出驱动的启用与高阻抗状态切换，从而避免总线冲突。此外，其完整的控制信号集包括 CE#（片选）、WE#（写使能）和 OE#，使得读写操作能够精确控制，提升了系统的可靠性。
　　在性能方面，250ns 的最大访问时间意味着该器件能够在较高速度下完成一次完整的读或写周期，满足当时主流处理器的需求。同时，在待机模式下，芯片自动进入低功耗状态，显著降低空闲期间的能量消耗，延长电池供电系统的使用寿命。
　　AM2864AE-250DT 还具备良好的抗干扰能力和宽温度范围选项（部分版本支持工业级温度），增强了其在恶劣环境下的稳定性。所有输入端均设有静电放电（ESD）保护电路，提高了器件在装配和使用过程中的安全性。制造工艺上采用可靠的双金属层 CMOS 工艺，确保长期运行的耐久性与一致性。
　　值得注意的是，该器件不包含内置电池备份或非易失性存储单元，因此断电后数据将丢失，必须配合外部电源管理系统使用。然而，正是这种纯静态 RAM 架构使其具备无限次读写能力，不存在闪存那样的擦写寿命限制，特别适合频繁更新的数据缓冲场合。

AM2864AE-250DT 主要用于需要高速、可靠、低延迟数据存取的嵌入式系统和工业电子设备中。典型应用包括早期个人计算机的 BIOS 缓存、工业控制器中的实时数据缓冲区、通信设备（如调制解调器、交换机）的数据暂存单元，以及测试与测量仪器中的采样数据临时存储。
　　在自动化控制系统中，该芯片常被用作 PLC（可编程逻辑控制器）的中间变量存储器，用于暂存传感器采集数据或执行机构的状态信息，因其快速响应能力可保障控制循环的高效执行。在医疗设备领域，尤其是在上世纪九十年代生产的监护仪或诊断设备中，AM2864AE-250DT 被用于存储运行时配置参数和临时生理信号数据。
　　此外，该器件也常见于军事和航空航天领域的老旧电子系统维护中，作为替换件用于修复雷达信号处理模块、飞行控制计算机或导航系统中的内存单元。由于其 TTL 兼容性和稳定的电气特性，它还能与多种总线结构（如 ISA、PCI 前身架构）无缝对接，方便系统集成。
　　在教育和科研领域，该芯片曾被广泛用于微机原理实验平台，帮助学生理解存储器寻址、读写时序和总线操作的基本概念。即使在现代，一些复古计算爱好者和硬件收藏者也会使用该芯片复刻经典计算机系统或开发兼容老式架构的自制主板。
　　随着半导体技术的发展，虽然新型低功耗 SRAM 和 DRAM 已逐步取代此类老款器件，但在设备维修、备件替换和特定长生命周期项目中，AM2864AE-250DT 仍然具有不可替代的作用。