类型：PROM
　　架构：肖特基钳位双极性
　　存储容量：512 x 8 位
　　组织结构：512个地址，每个地址8位数据输出
　　引脚数：24
　　封装形式：24-DIP（双列直插封装）
　　电源电压：+5V ±5%
　　工作电流：典型值 120mA（最大可达150mA）
　　读取访问时间：典型 35ns，最快版本可达25ns
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　输出逻辑电平：TTL 兼容
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　焊接温度：260°C（10秒）

AM27S43PC的核心特性之一是其高速读取性能，典型访问时间为35ns，部分军用或工业级变种可达25ns，使其适用于对时序要求严格的实时控制系统。该芯片采用双极性晶体管工艺结合肖特基钳位技术，显著提升了开关速度并降低了饱和延迟，从而实现了纳秒级的数据响应能力。其内部结构为512字节（512 x 8）的静态只读存储阵列，每个存储单元通过熔丝连接，在编程时通过高电流烧断指定熔丝以表示逻辑“0”或“1”，实现一次性编程（OTP）。这种物理编程方式确保了数据的高度安全性与抗篡改性，适合用于存储关键固件或加密密钥。
　　该器件具备TTL电平兼容的输入和输出接口，可无缝集成到基于TTL逻辑的数字系统中，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。其输出驱动能力强，能够直接驱动多个TTL负载，增强了系统的扩展性和稳定性。AM27S43PC还内置了片选（CE）控制功能，当片选信号有效时才启用输出，否则进入高阻态，便于多芯片系统中的总线共享与地址空间管理。此外，该芯片具有良好的抗噪声性能和温度稳定性，在宽温度范围内（0°C 至 +70°C）能够保持可靠的读取操作，适用于工业环境下的长期运行。
　　由于采用熔丝型工艺，AM27S43PC在编程后无法擦除或修改，因此在使用前必须确保数据准确无误。编程通常需要专用的PROM编程器，并遵循严格的编程时序和电压规范。尽管现代非易失性存储器如Flash和EEPROM已广泛普及，但AM27S43PC因其确定性的时序行为和高抗干扰能力，仍在一些航空航天、军事设备和老旧工业控制系统中继续服役。此外，该芯片的引脚布局和电气特性与同类PROM产品高度兼容，便于系统升级或替换。

AM27S43PC广泛应用于需要高速、一次性编程存储功能的电子系统中。常见用途包括工业自动化控制器中的微代码存储，用于实现复杂的逻辑状态机或指令解码功能。在通信设备中，它可用于存储固定的协议转换表或地址映射信息，确保数据传输的一致性和可靠性。测试与测量仪器也常采用此类PROM来保存校准数据或固定算法查找表，以提高运算效率。此外，在老式计算机系统或嵌入式控制器中，AM27S43PC被用来存放BIOS类固件或启动代码，支持系统上电自检和初始化流程。由于其TTL兼容性和高速访问特性，该芯片也适用于高速逻辑函数发生器、PLA（可编程逻辑阵列）替代方案以及数字信号处理中的常量表存储。在军事和航空电子系统中，因其数据不可篡改和高可靠性，仍保有一定应用地位。随着技术发展，虽然新设计中已较少采用此类熔丝型PROM，但在系统维护、备件替换和遗留设备支持方面依然具有重要价值。

MCM27S43PC
　　DM7S43PC
　　NTE7483
　　MM27S43PC