型号：AM27S35A/BLA
　　制造商：AMD
　　类型：双极型一次性可编程只读存储器（Bipolar PROM）
　　存储容量：4096 x 8 位（4Kx8）
　　组织结构：4K x 8
　　电源电压：+5V（标准）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C（军用级）
　　封装类型：28引脚陶瓷双列直插封装（CDIP）
　　访问时间：典型值为25ns（最大35ns）
　　编程电压：+21.5V ±0.5V（VPP）
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　输出逻辑电平：TTL 兼容
　　功耗：典型静态功耗约300mW
　　引脚配置：标准JEDEC 28-pin DIP 引脚排列
　　编程方式：一次性编程（OTP）
　　数据保持时间：典型大于10年

AM27S35A/BLA 采用先进的双极肖特基工艺技术，具备优异的速度性能和稳定性，是早期高速PROM器件中的代表产品之一。其核心特性在于极快的访问时间，典型值仅为25纳秒，使得它非常适合用于那些对时序要求极为严格的实时控制系统中。这种速度优势源于其内部使用的TTL逻辑电路结构与肖特基二极管钳位技术的结合，有效减少了晶体管的饱和延迟，从而显著提升了开关速度。
　　该器件支持标准TTL电平接口，能够无缝集成到以TTL为基础的数字系统中，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。其4K x 8的存储结构提供了32K位的总存储容量，足以容纳中小型固件程序或实现复杂的组合逻辑功能。例如，在微代码存储、PLA（可编程逻辑阵列）替代、地址解码表固化等方面表现出色。
　　AM27S35A/BLA 具有宽泛的工作温度范围，从-55°C到+125°C，符合军用级元器件的标准规范，确保其在极端高低温环境下仍能稳定运行。这使其特别适用于航空航天、国防电子、工业自动化等对环境适应性要求高的应用场景。此外，陶瓷封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了抗湿性和机械强度，提高了器件的长期可靠性。
　　作为一次性可编程（OTP）器件，AM27S35A/BLA 在出厂时为空状态，用户可通过专用编程器施加+21.5V的编程电压将数据写入。一旦编程完成，内容即永久固定，无法擦除或修改，从而保障了数据的安全性和防篡改能力。虽然缺乏重复擦写的灵活性，但其高安全性特点在某些特定场合反而成为优势。
　　尽管当前主流市场已转向更低成本、更高密度的CMOS型非易失性存储器（如Flash和EEPROM），但AM27S35A/BLA 因其独特的高速特性和军品级品质，仍在部分高端维修、备件替换及特殊定制系统中保持一定的需求。同时，其引脚兼容性和标准化设计也便于系统升级或替代方案的设计迁移。

AM27S35A/BLA 主要应用于需要高速、高可靠性和一次性编程特性的数字系统中。典型应用包括军用通信设备中的固件存储，用于保存启动代码或协议处理子程序；在雷达信号处理系统中作为查找表（LUT）使用，实现快速的数据映射与转换；在工业控制机架中承担地址译码功能，简化复杂系统的片选逻辑设计。
　　此外，该器件常被用于老式计算机和嵌入式系统的微程序控制器中，作为控制存储器存放指令执行流程的微代码。在测试仪器和测量设备中，AM27S35A/BLA 可用于存储校准参数或补偿算法表格，确保设备在不同环境条件下的测量精度。
　　由于其TTL兼容性和高速响应能力，该芯片也广泛用于数字逻辑系统的原型验证阶段，替代硬连线逻辑门电路，实现灵活的组合逻辑函数生成，例如编码器、解码器、多路复用器等功能模块的模拟实现。在一些航空航天电子系统中，因其具备耐高温、抗辐射和长寿命的特点，AM27S35A/BLA 被用于关键任务模块的数据固化存储，保障系统在恶劣空间环境下的正常运行。
　　目前，虽然新设计中较少采用此类双极型PROM，但在设备维护、备件更换和技术延续项目中，AM27S35A/BLA 仍然是不可或缺的关键元器件。特别是在军工和航天领域，原有系统设计周期长、更新慢，对元器件的长期供货和一致性要求极高，因此这类经典型号仍保有一定市场份额。

M27S35A
　　DM7S35AN
　　MM7S35AN
　　TBP27S35