型号：AM27S21A
　　制造商：AMD
　　存储容量：512 × 8位（4Kb）
　　封装类型：24引脚DIP、Ceramic DIP、Flat Pack等
　　存取时间：典型35ns，最大55ns
　　电源电压：+5V ±5%
　　工作电流：典型80mA，最大100mA
　　输入电平：TTL兼容
　　输出电平：TTL兼容
　　编程电压：Vpp = +21V至+25V（典型+25V）
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）、工业级（-40°C 至 +85°C）、军用级（-55°C 至 +125°C）
　　存储单元技术：双极型肖特基二极管熔丝结构
　　编程方式：一次性可编程（OTP）
　　引脚数：24
　　输出使能控制：OE（低电平有效）
　　芯片使能：CE（低电平有效）
　　数据输出：三态缓冲输出

AM27S21A的核心特性之一是其高速访问能力，得益于采用双极型肖特基晶体管技术，使得其存取时间显著优于同期的MOS类PROM器件。这种高速性能使其特别适用于需要快速响应的实时控制系统，如雷达信号处理、电话交换机中的路由表查找以及早期计算机的微码存储。该器件的典型存取时间为35ns，在高速数字系统中可以有效减少等待周期，提升整体系统效率。此外，AM27S21A具备良好的噪声抑制能力和稳定的输出驱动能力，能够在复杂电磁环境中保持可靠的数据输出。
　　另一个关键特性是其一次性可编程（OTP）结构，内部存储单元通过熔断金属或半导体熔丝来实现数据写入。一旦编程完成，数据无法更改，这为防止未经授权的修改提供了天然的安全保障，适用于安全敏感或防篡改应用场景。编程过程需要施加高于正常工作电压的编程脉冲（通常为+25V），并配合精确的时间控制以确保熔丝正确烧断而不损坏芯片。
　　AM27S21A还具备三态输出缓冲器，允许多个存储器芯片共享同一数据总线，通过片选（CE）和输出使能（OE）信号进行选择控制，从而支持构建更大容量的存储系统。其TTL电平兼容性简化了与微处理器、FPGA、ASIC和其他逻辑器件的接口设计，无需额外的电平转换电路。
　　该器件提供多种封装选项，包括陶瓷DIP和扁平封装，满足不同环境下的散热、振动和空间需求。特别是军用级版本，经过严格的筛选和测试，具备高可靠性，适用于航空航天、国防电子等高可靠性要求领域。虽然现代系统更多采用Flash或EEPROM，但AM27S21A因其长期供货历史和系统兼容性，仍被用于老旧系统的替换和维护。

AM27S21A广泛应用于多个领域，尤其是在20世纪70年代至90年代期间，是许多工业和军事系统中的关键组件。在工业自动化控制系统中，该芯片常用于存储固定的控制程序、状态机逻辑或I/O映射表，例如在PLC（可编程逻辑控制器）中作为引导ROM使用。由于其高速访问特性，也常用于高速数据采集系统中的地址译码或波形生成查找表（LUT），如函数发生器或数字示波器的显示驱动模块。
　　在通信设备中，AM27S21A曾被用于电话交换系统、调制解调器和网络路由器中存储协议转换表、字符编码表或错误校正码。其高可靠性和稳定性使其成为电信基础设施中长期运行设备的理想选择。此外，在军事和航空航天领域，AM27S21A的军温版本被广泛用于雷达系统、导弹制导计算机、卫星通信终端和飞行控制系统中，用于存储不可变的启动代码或加密密钥表。
　　在消费电子和计算机领域，该器件曾用于早期的微型计算机和工作站中作为BIOS ROM或微码存储器。例如，在一些DEC、HP和IBM的系统中，AM27S21A或其兼容型号被用于存储中央处理器的微指令集。此外，在测试测量仪器如逻辑分析仪、频谱仪中，该PROM用于存储校准数据或图形字体库。
　　目前，尽管新设计中已较少采用AM27S21A，但在系统升级、备件替换和遗留系统维护中仍具有重要价值。许多制造商和分销商继续提供该器件或其功能兼容型号，以支持长期服役设备的持续运行。此外，由于其物理不可逆的编程特性，也被用于某些防伪或安全认证模块中，作为硬件指纹存储介质。

MCM27S21
　　DM7S21
　　NMC27S21
　　MBM27S21