制造商：AMD
　　类型：PROM（可编程只读存储器）
　　存储容量：4096 位 (512 x 8)
　　电压供应：5V ±10%
　　访问时间（典型值）：35ns（AM27S21A），25ns（AM27S21B2A）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级，A型）；-55°C 至 +125°C（军用级，B2A型）
　　封装类型：24 引脚 DIP 或 CDIP
　　输入电平：TTL 兼容
　　输出驱动：标准 TTL 输出
　　编程电压：+21.5V 至 +26.5V（Vpp）
　　待机电流：典型 50mA，最大 100mA

AM27S21A/B2A 的核心特性之一是其高速访问能力，典型访问时间分别为 35ns（A 型）和 25ns（B2A 型），这使得它能够在高频时钟系统中作为低延迟的程序存储器使用。其基于双极性晶体管工艺的设计提供了比 CMOS 存储器更强的驱动能力和更稳定的信号完整性，尤其适合长距离总线驱动或多负载环境。肖特基钳位技术有效防止晶体管饱和，从而显著减少开关延迟，提升整体响应速度。
　　该器件具备出色的可靠性与耐用性，特别是在高温或恶劣环境下表现稳定。B2A 版本经过严格的军用标准筛选和测试（如 MIL-STD-883），可在极端温度范围（-55°C 至 +125°C）内正常工作，适用于航空航天、雷达系统和车载控制系统等高要求场景。此外，其一次性可编程（OTP）结构防止了未经授权的数据修改，增强了系统的安全性与防篡改能力。
　　电气方面，AM27S21A/B2A 支持标准 TTL 接口电平，能够无缝集成到以 74LS 或其他 TTL 系列逻辑为核心的系统中，无需额外的电平转换电路。编程过程需要外部专用编程器施加较高的 Vpp 编程电压（约 +25V），写入操作完成后即永久固化数据。器件还具备良好的抗辐射和抗电磁干扰性能，适合在工业噪声较强的环境中运行。
　　虽然其静态功耗高于现代 CMOS 存储器，但在对速度和稳定性要求优先于能效的应用中仍具优势。AM27S21A/B2A 提供了多种封装选项，包括陶瓷 DIP（CDIP）以增强热稳定性和机械强度，满足不同安装方式和散热需求。总体而言，这款 PROM 在特定高性能、高可靠性嵌入式系统中仍具有不可替代的价值。

AM27S21A/B2A 广泛应用于需要高速、高可靠性固件存储的各种系统中。常见用途包括工业自动化控制器中的启动引导程序存储，例如 PLC（可编程逻辑控制器）和 CNC 数控机床，其中系统上电后需立即加载固定的控制逻辑或初始化代码。由于其快速访问特性，该芯片也常被用于实时信号处理系统中的查找表（LUT）实现，如波形生成、数学函数近似和坐标变换等场景。
　　在通信设备中，AM27S21A/B2A 可用于存储协议转换表、地址映射表或调制解调参数配置，尤其适用于老式交换机、路由器和基站模块。军事和航空航天领域是其重要应用方向，因其具备宽温工作能力和抗干扰特性，常用于导弹导航系统、飞行控制计算机和雷达信号处理器中作为微码存储单元。
　　此外，该器件也被用于测试测量仪器中，如示波器、频谱分析仪等高端设备，用于存放校准数据、显示字符集或操作界面菜单信息。在一些遗留系统升级或维护项目中，AM27S21A/B2A 作为原厂指定部件，仍被用于替换故障芯片以保持系统兼容性。由于其一次性编程特性，也适用于防伪认证、密钥固化等安全相关应用，防止运行时数据被篡改。尽管新型非易失性存储器不断发展，但在某些对时序确定性要求极高的场合，此类双极性 PROM 依然发挥着重要作用。

M27S21
　　DM7SB21
　　MM27S21N
　　TMS27S21