型号：AM27C64-255DK
　　存储容量：64 Kbit (8K x 8)
　　组织结构：8K x 8位
　　工艺技术：CMOS EPROM
　　工作电压：5V ±10%
　　访问时间：255 ns 最大值
　　封装类型：28引脚 PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier）
　　擦除方式：紫外线擦除（典型曝光时间：20–30分钟，波长253.7nm）
　　编程电压：VPP = 12.5V 或 12.75V（依据版本）
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　输入/输出电平：TTL 兼容
　　待机电流：典型值 100 μA（最大值 2 mA）
　　编程电流：典型值 50 mA
　　数据保持时间：通常大于10年（在正常存储条件下）
　　可擦写次数：通常支持100次以上的擦除/编程循环

AM27C64-255DK具备出色的可靠性和稳定性，采用先进的CMOS制造工艺，在保证高速性能的同时显著降低了功耗，尤其在待机模式下电流消耗极低，有助于延长系统电池寿命或减少整体热耗。其255ns的访问时间满足大多数中速微处理器系统的时序要求，能够在8051、Z80、68HC11等经典处理器架构中稳定运行。该芯片支持标准的编程算法，可通过通用EPROM编程器进行烧录，编程电压通常为12.5V或12.75V，具体取决于制造商规范。器件内部集成了地址锁存和片选逻辑，支持简单的存储器映射设计，易于集成到复杂的数字系统中。此外，AM27C64-255DK具有良好的抗干扰能力和宽温工作范围，确保在工业现场等恶劣电磁环境下依然能可靠读取程序代码。其封装带有透明石英窗口，方便紫外线擦除，同时可通过贴上不透光标签来保护已编程内容免受意外擦除。该器件还具备优异的数据保持能力，在无紫外线暴露和极端温度条件下可长期保存数据超过十年。所有引脚均符合JEDEC标准，确保与其他逻辑器件的良好互操作性，并支持总线挂接多个存储器或外设。
　　值得注意的是，AM27C64-255DK在电源上电和断电过程中具有一定的抗干扰设计，但仍建议在应用中加入适当的去耦电容（如0.1μF陶瓷电容）以稳定电源电压。该芯片不具备内置写保护功能，编程和擦除操作完全依赖外部编程器和物理擦除手段。由于是UV EPROM，无法实现电擦除，因此在需要频繁更新程序的现代应用中已逐步被EEPROM或Flash替代，但在固件版本稳定、无需频繁修改的场合仍具成本和可靠性优势。

AM27C64-255DK广泛应用于各种需要非易失性程序存储的电子系统中，尤其是在20世纪80年代至21世纪初的嵌入式控制系统中扮演重要角色。典型应用包括工业控制设备中的PLC（可编程逻辑控制器）固件存储、数控机床的启动程序存放、老式通信设备的协议栈固化、测试测量仪器的校准数据和引导代码存储。此外，该芯片也常见于教育实验平台、单片机开发板以及复古计算设备中，用于存放BIOS或监控程序。由于其TTL电平兼容性和5V单一电源供电，能够轻松与8位和16位微处理器（如Intel 8085、Motorola 68000系列）直接连接，无需额外电平转换电路。在一些航空航天和军事设备的老旧系统中，AM27C64-255DK因其经过长期验证的高可靠性而仍在服役。另外，它也被用于音频设备（如电子琴、效果器）的固件存储，以及POS终端、条码扫描器等商业设备中。尽管现代设计更多采用串行EEPROM或SPI Flash，但在并行接口需求、大地址空间访问或对延迟敏感的应用中，AM27C64-255DK仍具实用价值。其紫外线可擦除特性使其特别适合研发阶段的原型验证，工程师可在调试完成后将最终程序烧录进芯片，并通过覆盖石英窗口防止误擦除。

AT27C64
　　M27C64A
　　MBM27C64
　　SST39SF040