AM27C4096-250DC 时间：2025/12/28 3:12:37 阅读：12

AM27C4096-250DC是一款由AMD（Advanced Micro Devices）生产的高性能、低功耗的4兆位（512K x 8）紫外线可擦除可编程只读存储器（UV-EPROM）。该器件属于AM27C系列，采用标准的DIP（双列直插式封装）或PLCC（塑料引线芯片载体）封装形式，具体型号中的'DC'通常表示为DIP封装。AM27C4096设计用于需要高密度非易失性存储的应用场景，能够在断电后长期保存数据，适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统和老旧计算机系统中。
　　该芯片通过标准的5V电源供电，支持快速读取操作，典型访问时间为250纳秒，因此在对读取速度有一定要求但不需要闪存或EEPROM频繁写入特性的场合中广泛使用。其内部结构为524,288字节（512KB），按8位宽度组织，地址总线为19位，可寻址全部512K字节空间。AM27C4096-250DC具备可靠的耐久性和数据保持能力，数据可保存长达10年以上，并支持通过紫外线照射进行批量擦除，以便重新编程。此外，该器件还集成了输出使能（OE）和片选（CE）控制信号，便于在多芯片系统中实现高效的地址译码与功耗管理。

参数

型号：AM27C4096-250DC
　　容量：4 Mbit (512K x 8)
　　电源电压：5V ±10%
　　访问时间：250 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：DIP-32 或 PDIP-32
　　编程电压：VPP = 12.5V 或 21V（依据版本）
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　输出逻辑电平：TTL 兼容
　　待机电流：≤ 100 μA
　　工作电流：≤ 75 mA
　　数据保持时间：≥ 10 年
　　擦除方式：紫外线擦除（典型曝光时间约20-30分钟，波长253.7nm）

特性

AM27C4096-250DC具备多项关键特性，使其在非易失性存储器领域中具有重要地位。首先，其4兆位（512K x 8）的存储容量在当时的EPROM技术中属于高密度级别，适合存储固件、引导代码、BIOS程序以及嵌入式系统的常驻数据。该芯片采用CMOS工艺制造，结合优化的电路设计，在保证高速访问（250ns）的同时实现了较低的功耗表现，尤其是在待机模式下电流可低至100μA，有助于延长系统电池寿命或降低整体热耗。
　　其次，该器件完全兼容TTL电平，能够无缝集成到基于TTL逻辑的数字系统中，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。其三线控制逻辑——包括片选（CE）、输出使能（OE）和编程脉冲（PGM，在编程时使用）——提供了灵活的系统接口控制，允许精确地管理读取、待机和编程状态，从而提高系统的稳定性和可靠性。在编程方面，AM27C4096支持高压编程（通常为12.5V或21V），需使用专用的EPROM编程器进行烧录，编程过程遵循严格的时间和电压规范以确保数据完整性。
　　此外，该芯片具备出色的环境适应性和长期数据保持能力。在正常存储条件下，写入的数据可稳定保存超过10年，即使在高温或电磁干扰较强的工业环境中也能保持良好性能。其石英窗口封装设计允许用户通过紫外线光源对芯片内容进行彻底擦除，从而实现多次重复使用，降低了开发和维护成本。这一特性特别适用于研发阶段频繁修改固件的场景。最后，AM27C4096-250DC具备良好的抗辐射和静电防护能力，符合工业级可靠性标准，广泛应用于对稳定性要求较高的控制系统中。

应用

AM27C4096-250DC主要应用于需要可靠非易失性存储的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化控制器中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）的引导程序和配置数据存储；在通信设备中，用于存放协议栈代码、初始化参数或诊断程序；在老式计算机和工控机中，作为BIOS芯片使用，负责启动自检和硬件初始化流程。此外，该芯片也常见于测试测量仪器、医疗设备、航空航天电子模块以及军事装备中，这些领域对数据持久性和系统稳定性有极高要求。
　　由于其紫外线可擦除特性，AM27C4096-250DC在研发和调试阶段尤其受欢迎。工程师可以反复擦除并重新烧录程序，验证不同版本的固件逻辑，而无需更换物理芯片，极大提升了开发效率。同时，该芯片也被用于教育实验平台和微控制器学习板中，帮助学生理解存储器架构和程序加载机制。尽管现代系统越来越多地采用Flash存储器替代传统EPROM，但在一些不支持在线编程或对电磁兼容性有特殊要求的封闭系统中，AM27C4096仍因其成熟性和可靠性而被沿用。此外，在设备维修和备件替换场景中，该型号仍是许多老旧系统的关键替换部件，确保 legacy system 的持续运行。