型号：AM27C256-250LC
　　存储容量：256 Kbit (32K x 8)
　　组织结构：32,768 字 × 8 位
　　电源电压：5V ±10%
　　访问时间：250 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：28-pin Ceramic DIP with Window (Ceramic Package)
　　编程电压：Vpp = 12.5V 或 21V（根据规格）
　　待机电流：≤ 100 μA（典型值）
　　运行电流：≤ 40 mA（最大值）
　　输出电平：TTL 兼容
　　擦除方式：紫外线擦除（约15～20分钟，波长253.7nm）
　　写入耐久性：可重复编程次数 ≥ 100 次
　　数据保持时间：≥ 10 年（在额定环境条件下）

AM27C256-250LC具备多项关键特性，使其在传统EPROM应用领域中表现出色。首先，其采用高性能CMOS工艺制造，在确保快速存取速度的同时显著降低了功耗，尤其在待机模式下电流消耗极低（典型值低于100μA），非常适合对能耗敏感的应用场合。其次，该器件拥有250ns的存取时间，虽然相较于现代高速存储器略显缓慢，但对于许多工业控制、仪器仪表及老式计算机系统而言已完全满足实时性要求。其陶瓷封装带透明石英窗口的设计不仅提供了良好的散热性能和机械强度，还允许用户在需要时通过紫外线照射轻松擦除芯片内容，实现多次重复编程，极大提升了开发调试阶段的灵活性。
　　另一个重要特性是其高度的系统兼容性。AM27C256-250LC使用标准的8位并行接口，地址总线为15位（A0-A14），数据总线为8位（D0-D7），控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和编程脉冲输入（PGM或Vpp），这些引脚定义符合行业通用规范，能够无缝接入多种基于8位或16位微处理器的系统架构，如Z80、8085、8086/8088等。此外，该芯片支持两种编程电压模式（12.5V或21V），增强了与不同编程器设备的适配能力。
　　从可靠性角度看，AM27C256-250LC具备优异的数据保持能力，官方标称在正常存储环境下数据可保留超过10年，且可承受至少100次的编程/擦除周期，保证了长期使用的稳定性。内部集成的安全熔丝机制可在编程后锁定芯片内容，防止非法复制或读取，提升了系统的安全性。最后，其宽范围的工作温度（0°C至+70°C）和抗干扰能力强的特点，使得该器件能够在较为恶劣的工业环境中稳定运行，适用于自动化控制系统、医疗设备、通信基站等多种应用场景。

AM27C256-250LC主要应用于需要非易失性程序存储的电子系统中，尤其是在那些尚未升级到Flash存储技术的老式或专用设备中。一个典型的应用场景是工业控制系统，例如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和自动化生产线中的固件存储。这类系统往往依赖于稳定可靠的ROM来存放启动代码、控制算法和配置参数，而AM27C256-250LC凭借其高可靠性与长期数据保持能力成为理想选择。
　　在通信设备领域，该芯片曾被广泛用于程控交换机、调制解调器、路由器和网络接口卡中，用于存储引导程序（Bootloader）和协议处理代码。由于这些设备通常需要长时间连续运行且对数据完整性要求极高，因此采用经过验证的UV-EPROM技术比早期Flash更具稳定性优势。
　　此外，AM27C256-250LC也常见于各种测试测量仪器，如示波器、频谱分析仪和数字万用表中，作为存放校准数据、菜单界面和驱动程序的介质。在教育和科研领域，它也被用于单板计算机、实验开发平台和微处理器教学系统中，供学生学习汇编语言编程、存储器映射和系统启动流程。
　　值得一提的是，尽管目前大多数新设计已转向EEPROM或Flash存储器，但由于大量现有设备仍在服役，AM27C256-250LC仍被用于维修、替换和备件供应市场。同时，在某些对电磁兼容性和辐射环境有特殊要求的场景中，由于EPROM不依赖浮栅隧道氧化物结构，反而比Flash更耐辐射，因此在航天、军工等特殊领域仍有小范围应用。

AT27C256R-25PC
　　MCM27C256B-25LXN
　　MBM27C256QE-25LNE1