类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：2.5A（在25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（典型值，取决于VGS）
　　功率耗散（PD）：30W（TO-220封装）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、DPAK（SMD）

STN2NF06具备多项优良的电气和热性能，适合多种功率开关应用。
　　首先，其最大漏源电压为60V，适合中低电压功率转换系统，如便携式设备电源、小型DC-DC转换器等。栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极驱动兼容性，可与标准逻辑电平（如5V或10V）驱动电路配合使用。
　　其次，该器件的最大连续漏极电流为2.5A，在不使用散热片的情况下，仍能保持良好的工作稳定性。在脉冲工作条件下，漏极电流可达10A，使其适用于短时间高电流冲击的场合，如电机启动或继电器驱动。
　　导通电阻RDS(on)的典型值约为1.2Ω，降低了导通损耗，有助于提高系统效率。同时，该器件具有较低的输入电容和开关损耗，支持高频开关操作，适合用于开关电源（SMPS）中的整流或同步整流电路。
　　此外，STN2NF06采用高可靠性的Power MOSFET结构，具备良好的热稳定性和抗过载能力。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种恶劣工作环境，如工业控制、车载电子系统等。
　　封装方面，STN2NF06提供TO-220和DPAK两种形式。TO-220封装适合通孔安装，具有良好的散热性能；而DPAK封装为表面贴装形式，适用于自动化生产，节省PCB空间。

STN2NF06广泛应用于各种中低功率电力电子系统中。在DC-DC转换器中，该器件可作为主开关或同步整流元件，实现高效率的能量转换。由于其导通电阻低、开关速度快，适合用于升压（Boost）或降压（Buck）电路中。
　　在电源管理系统中，STN2NF06可用于负载开关控制、电池充放电管理以及电源分配控制，尤其适合用于便携式设备如智能手机、平板电脑、智能手表等的电源管理模块。
　　此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路，如直流电机调速、步进电机驱动和继电器控制。其较高的脉冲电流能力可承受电机启动时的瞬时冲击电流，提高系统可靠性。
　　在工业自动化控制领域，STN2NF06常用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出驱动电路、传感器电源控制和继电器替代电路（固态开关）。其高可靠性和宽温度范围，使其适应各种工业环境。
　　车载电子系统中，该器件可用于车灯控制、电动窗电机驱动、车载充电器等应用。其良好的热性能和抗干扰能力，能够满足汽车电子对稳定性和耐用性的要求。

IRFZ24N, 2N7000, FQP2N60, STN2NF06L, FDN327N