AM27C1024-105DC 时间：2025/9/30 15:12:22 阅读：30

AM27C1024-105DC是一款由AMD（现为Microchip Technology）生产的高性能、低功耗的1兆位（128K × 8）紫外线可擦除可编程只读存储器（UV-EPROM）。该器件采用先进的浮栅CMOS技术制造，具有高可靠性与数据保持能力，典型应用中可保证数据保存超过10年。AM27C1024-105DC广泛用于需要非易失性程序存储的嵌入式系统、工业控制、通信设备和军事电子系统等场合。该芯片封装形式为42引脚DIP（双列直插式封装），便于在传统电路板上安装和进行紫外线擦除操作。其命名中的'105'表示最大访问时间为105纳秒，适用于中高速系统总线环境。该器件支持标准的+5V电源供电，并在编程时需要较高的编程电压（通常为+12.5V），通过特定的编程器实现数据烧录。由于其成熟的工艺和稳定的性能，AM27C1024-105DC在许多老旧但仍在运行的系统中仍发挥重要作用，尽管近年来逐步被Flash存储器替代，但在某些对可靠性和长期供货有要求的应用中仍具价值。

参数

型号：AM27C1024-105DC
　　容量：1024 Kbit (128K × 8)
　　电源电压：+5V（±10%）
　　访问时间：105 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：42引脚 DIP（Ceramic DIP）
　　编程电压：VPP = +12.5V
　　读取电流（最大）：75 mA
　　待机电流（最大）：35 mA
　　数据保持时间：>10年（典型）
　　擦除方式：紫外线擦除（约15～20分钟，波长253.7nm）
　　写入耐久性：可重复编程次数达1000次以上

特性

AM27C1024-105DC具备多项关键特性，使其在紫外线可擦除只读存储器领域中表现出色。首先，其采用的高性能CMOS浮栅技术不仅实现了低功耗运行，同时确保了优异的数据稳定性和抗干扰能力。在正常读取模式下，该芯片仅消耗最大75mA的电流，待机模式下更可降至35mA以下，这对于需要长时间运行且对功耗敏感的系统非常有利。其次，105ns的快速存取时间使其能够无缝集成到多种8位和16位微处理器系统中，如Intel 8086、80286或Motorola 68000系列，满足中高速总线时序要求。
　　该器件设计有可靠的逻辑控制引脚，包括片选（CE）、输出使能（OE）和编程脉冲输入（PGM），允许精确的读写时序控制和多芯片并行扩展。此外，其陶瓷DIP封装不仅提供良好的散热性能，还支持多次紫外线擦除操作，窗口式封装允许用户在不拆卸芯片的情况下进行重复编程，极大提升了开发和维护效率。AM27C1024-105DC还具备较强的抗辐射和抗噪声能力，适合工业及军用级环境应用。
　　为了提高系统安全性，该芯片在编程后可通过紫外线擦除窗口覆盖不透明贴纸来防止未经授权的读取或篡改。同时，其内部存储阵列经过优化布局，减少了位错误率，并在出厂时经过严格测试，确保每个存储单元的可靠性。尽管现代系统更多转向使用电可擦除的EEPROM或Flash存储器，但AM27C1024-105DC因其无需电池即可长期保存数据、抗恶劣环境能力强、接口简单等优点，在一些特殊领域依然不可替代。

应用

AM27C1024-105DC主要应用于需要高可靠性和长期程序存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和过程监控设备，其中固件代码需长期稳定运行且不易丢失。在通信基础设施中，该芯片用于程控交换机、调制解调器和网络路由器中存储启动代码和配置信息。此外，在航空航天与国防电子系统中，由于其耐高温、抗辐射和数据保持能力强，常被用于雷达系统、飞行控制模块和导弹导航装置中的固件存储。
　　在消费类电子和医疗设备领域，AM27C1024-105DC也有所应用，例如老式游戏机主板、医疗监测仪器的引导程序存储等。教育和研发实验室中，该芯片因易于编程和擦除，常被用于教学实验和原型开发平台，帮助学生理解存储器工作原理和微处理器系统架构。由于其引脚兼容性强，也可作为其他类似容量EPROM器件的直接替换方案，提升系统升级灵活性。尽管当前主流趋势是采用串行Flash或SPI NOR Flash，但在一些无法使用现代存储接口或对电磁兼容性要求极高的场合，AM27C1024-105DC仍然是一种稳健的选择。