型号：AM27C010-105DC
　　容量：1 Mbit (128K × 8)
　　工作电压：+5V ±10%
　　编程电压：+12.5V ±0.5V
　　访问时间：105 ns
　　封装类型：28-pin DIP（双列直插式）
　　擦除方式：紫外线擦除（UV EPROM）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　输出驱动能力：扇出 ≥ 10 LSTTL
　　静态电流（待机模式）：≤ 100 μA
　　动态电流（读取模式）：≤ 50 mA
　　数据保持时间：≥ 10 年（典型值）
　　编程脉冲宽度：100 μs（典型）
　　编程算法：由编程器自动控制字节编程

AM27C010-105DC具备多项关键特性，使其在传统的非易失性存储应用中表现出色。首先，其1兆位的存储容量以128K×8的组织结构提供，非常适合用于存放固件、引导代码或小型操作系统程序。该芯片采用CMOS工艺制造，显著降低了功耗，尤其在待机状态下静态电流低于100微安，有助于延长电池供电系统的使用寿命。其次，其快速的105纳秒访问时间保证了处理器能够高效地从存储器中读取指令，减少等待周期，提升整体系统响应速度。这一性能水平足以满足8位或16位微控制器系统的时序需求。该器件支持标准的+5V逻辑电平，与绝大多数TTL和CMOS逻辑电路完全兼容，简化了系统设计并减少了接口复杂性。在编程方面，AM27C010需要外部+12.5V的编程电压（VPP），在编程过程中每个字节通过编程器施加一定宽度的脉冲进行写入。编程算法通常由编程设备自动管理，包括校验和错误检测机制，确保写入数据的准确性。为了提高可靠性，该芯片内部集成了编程算法验证功能，并支持多次编程/擦除操作（通常可达数百次）。此外，其封装顶部设有石英玻璃窗口，允许用户在不拆卸芯片的情况下使用紫外线灯进行批量擦除，极大地方便了开发调试和现场升级。该窗口在日常使用中应贴上不透明标签以防意外曝光导致数据丢失。AM27C010-105DC还具备出色的抗噪能力和电平稳定性，在电源波动或电磁干扰较强的工业环境中仍能可靠工作。其数据保持能力超过10年，即使在断电情况下也能长期保存程序内容。最后，该器件遵循JEDEC标准引脚排列，便于与其他EPROM器件互换或进行PCB布局设计。
　　值得注意的是，尽管该芯片已被更先进的EEPROM和Flash存储器逐步取代，但由于其无需复杂的擦除控制电路、读取速度快且成本低廉，仍在某些特定领域保持应用价值。例如，在教育实验平台、复古计算项目或工业设备维护中，AM27C010-105DC仍然是一个稳定可靠的选择。其物理可擦除特性也使得它在安全性要求较高的场景中具有一定优势，避免了软件误擦的风险。

AM27C010-105DC主要用于需要可重复编程但不频繁更新的非易失性程序存储场合。典型应用包括工业控制系统中的PLC固件存储、通信设备的启动引导程序（Bootloader）存储、老式打印机和数控机床的控制器模块、嵌入式系统的BIOS存储以及早期的单板计算机和微机系统。由于其支持紫外线擦除和重复编程，该芯片常被用作研发阶段的固件测试载体，工程师可以在调试过程中多次擦除并重新烧录程序，而不必更换新的存储芯片。此外，它也被广泛应用于教学实验室中，作为学生学习EPROM编程、存储器接口设计和微处理器系统构建的基础元件。在军事和航空航天领域的部分遗留系统中，由于认证周期长、替换风险高，AM27C010-105DC依然作为备件使用。同时，一些爱好者在复刻经典游戏机或复古计算机时也会选用此类EPROM来还原原始硬件行为。在自动化设备中，该芯片可用于存储固定的控制逻辑或查找表（LUT），如电机控制曲线或字符字体库。其+5V单电源供电和TTL兼容输出使其易于集成到基于8051、Z80、68000等经典处理器的系统中。虽然现代设计更多转向串行Flash或SPI NOR Flash以节省空间和功耗，但在并行总线架构系统中，AM27C010-105DC仍然是一种成熟且经过验证的解决方案。此外，由于其无需内置擦除控制器，系统设计更为简单，适合资源有限或追求高可靠性的应用场景。

M27C1001-10F1, MBM27C1001L-10, TMS27C010-10JL, SST39SF010A-70-4C-PHE