型号：AM2764-250DI
　　存储容量：8K x 8位（64 Kbit）
　　组织结构：8192字节
　　工艺技术：NMOS
　　封装形式：28引脚 DIP（Dual In-line Package）
　　访问时间：250 ns
　　工作电压：+5V ±5%
　　读取模式电流：典型值 75mA
　　待机电流：典型值 35mA
　　编程电压 VPP：+12.5V 至 +13.5V
　　编程脉冲宽度：50 μs 典型值
　　数据保持时间：≥10年（典型）
　　擦除方式：紫外线擦除（波长253.7nm，能量≥15W·sec/cm2）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　抗静电能力：HBM模型下≥2000V

AM2764-250DI具备出色的可靠性和稳定的读取性能，其250ns的访问时间使其适用于多种中低速嵌入式系统的程序存储需求。该芯片采用标准的地址与数据总线接口设计，拥有13位地址线（A0-A12）和8位双向数据线（O0-O7），能够无缝连接到常见的8位微处理器如Z80、8085、6800等。其内部存储阵列经过优化设计，在+5V供电条件下可稳定运行于读取模式，而在编程时则需要施加+12.5V至+13.5V的高压VPP以完成写入操作，确保编程过程的安全性和准确性。该器件支持字节级编程，允许逐个地址写入数据，提升了灵活性。
　　一个显著特点是其顶部带有的石英玻璃窗口封装，使得用户可以通过紫外线照射（通常使用专用EPROM擦除器）轻松清除整个芯片内容，实现多次重复使用。这种物理擦除机制避免了意外改写的风险，提高了系统的安全性。此外，AM2764-250DI具备较强的环境适应性，能够在较宽的温度范围内正常工作，适合工业级应用环境。其抗干扰能力强，输入输出引脚均设计有噪声抑制电路，有效防止因电磁干扰导致的数据错误。虽然该器件不具备页写入或块擦除功能，也不支持在线编程（ISP），但在当时的技术背景下，其架构简单、成本低廉且高度可靠，成为许多经典电子设备中的首选存储解决方案。
　　随着半导体技术的发展，AM2764-250DI已被更先进的EEPROM和Flash存储器逐步取代，但由于其无需复杂驱动即可工作的特性，仍然在教学实验、维修替换及特定军工项目中保有一定市场。值得一提的是，该芯片对静电敏感，操作时需采取防静电措施，以防损坏内部电路。整体而言，AM2764-250DI是一款经典、耐用且易于使用的UV-EPROM器件，体现了上世纪70至80年代半导体存储技术的重要成果。

AM2764-250DI主要用于需要长期保存程序代码且不频繁更新的嵌入式系统中。常见应用场景包括工业自动化控制系统，例如PLC（可编程逻辑控制器）中的固件存储，因其可在恶劣环境下稳定运行并提供可靠的启动程序加载能力。在通信设备中，该芯片曾用于存储调制解调器、交换机或路由器的引导代码，确保设备每次上电后能正确初始化。此外，在早期的个人计算机、终端设备和游戏机主板中，AM2764-250DI常被用作BIOS或监控程序的存储介质。
　　在仪器仪表领域，如示波器、频谱分析仪和数字万用表等设备中，该芯片用于存放校准数据、操作界面逻辑和测量算法程序。由于其可重复擦写特性，研发人员可在调试阶段反复修改并烧录程序，极大地方便了产品开发与测试流程。教育机构也广泛使用此类芯片作为微机原理、单片机和数字电路课程的教学工具，帮助学生理解存储器的工作机制与CPU寻址原理。
　　在军事与航空航天领域，部分老旧但仍在服役的设备依然依赖AM2764-250DI进行关键指令存储，因为这类系统强调长期稳定性而非高速更新能力。此外，维修服务站常备该型号芯片用于替换故障EPROM，保障旧设备持续运行。尽管现代设计已转向SPI Flash或并行NOR Flash，但在无法获取原厂替代件或需要保持硬件兼容性的场合，AM2764-250DI仍具有不可替代的价值。

M2764A-2F1U6T
　　MBM2764-25LPI
　　TMS2764AN-25
　　ee2764a-25