制造商：Texas Instruments
　　产品系列：AM27512
　　存储容量：64k x 8位（512 Kbit）
　　电源电压：5V ±5%
　　访问时间：30ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：28-DIP（Dual In-line Package）
　　编程电压：VPP = +12.5V 或 +21V（依具体编程规范而定）
　　接口类型：并行
　　存储器类型：UV-EPROM
　　数据保持时间：≥10年
　　引脚数：28
　　擦除方式：紫外线擦除（典型曝光时间约15–20分钟）

AM27512-30DI的核心技术基于浮栅MOS晶体管结构，每个存储单元由一个控制栅和一个被绝缘层包围的浮栅组成。在编程过程中，通过向控制栅施加高电压（VPP），利用热电子注入机制将电子注入浮栅，从而改变晶体管阈值电压，实现数据“0”的写入；未编程状态对应数据“1”。由于浮栅被良好绝缘，电荷可长期保存，即使断电也不会丢失，因而具备非易失性存储能力。该器件的30ns访问时间使其能够在高频系统总线上稳定运行，支持与多种8位和16位微处理器（如8086、8051、68000等）直接接口，无需等待状态。
　　该芯片具备两个关键控制信号：片选（Chip Enable, CE）和输出使能（Output Enable, OE），允许系统在多存储器架构中精确选择目标设备，并控制数据输出驱动状态，有效降低总线竞争风险。此外，它还支持待机模式，当片选信号无效时，芯片进入低功耗状态，减少系统整体能耗。AM27512-30DI的28引脚DIP封装设计便于手工焊接和更换，顶部的石英窗口不仅方便紫外线擦除，也便于识别芯片状态（例如贴上标签防止误曝光）。
　　尽管该器件不具备电气擦除功能，但其物理可擦写特性在研发阶段极具优势——工程师可通过反复擦除和重编程快速迭代固件代码，而无需频繁更换芯片。同时，其抗干扰能力强，在电磁环境复杂的工业现场表现稳定。然而，使用该芯片需配备专用编程器和紫外线擦除设备，且编程过程需严格遵循时序规范，否则可能导致编程失败或器件损坏。此外，长时间暴露在强光下可能引起数据误擦除，因此在正常使用时应避免阳光直射石英窗口。总体而言，AM27512-30DI以其高可靠性、长寿命和成熟的工艺技术，在特定领域仍具实用价值。

AM27512-30DI主要用于需要可靠非易失性程序存储的场合，尤其是在20世纪80年代至90年代广泛用于各类嵌入式控制系统中。典型应用场景包括工业自动化设备中的PLC（可编程逻辑控制器）固件存储，其中程序代码需长期保存且偶尔更新，紫外线擦除方式虽不如现代闪存在线升级便捷，但在离线维护时仍能满足需求。此外，该芯片常用于通信设备的引导程序（Bootloader）存储，例如早期的调制解调器、交换机和路由器模块，这些设备在上电时从EPROM加载初始化代码到主处理器执行。
　　在测试与测量仪器领域，AM27512-30DI也被用作校准数据或固定算法的存储介质。例如，在数字示波器、频谱分析仪等设备中，厂家将默认设置、补偿系数或用户不可更改的功能模块固化于该芯片中，确保设备每次启动时都能恢复标准工作状态。由于其耐高温和抗辐射性能较好，该器件也曾应用于航空航天和军事电子系统中，特别是在对器件生命周期和稳定性要求极高的环境中。
　　教育和科研机构也常使用AM27512-30DI作为微机原理、单片机和计算机组成原理课程的教学实验元件，学生可通过实际操作了解存储器寻址、总线时序、编程与擦除流程等核心概念。此外，在一些老旧设备的维修和备件替换中，该芯片仍是不可或缺的元器件。尽管已被更先进的存储技术替代，但在无法升级硬件平台的遗留系统中，AM27512-30DI仍然发挥着重要作用。

AM27C512-30DI
　　AM27C512-30JI
　　MBM27C512-30
　　27C512