制造商: Advanced Micro Devices (AMD) 或其他QML认证厂商
　　器件型号: AM25LS2521/BRA
　　军标图号: 5962-8671301RA
　　存储容量: 256 Kbit (32K x 8)
　　组织结构: 32,768 字 × 8 位
　　工艺技术: CMOS
　　电源电压: 4.5V 至 5.5V
　　工作温度范围: -55°C 至 +125°C
　　访问时间: 典型值 15 ns、20 ns、25 ns 可选
　　封装类型: 28引脚 Ceramic DIP (CDIP) 或 28引脚 Flatpack (H or J package)
　　功耗: 典型工作功耗约 120 mW，待机模式下低于 10 mW
　　输出驱动能力: TTL 兼容
　　刷新要求: 无（静态RAM）
　　认证等级: QML Class V 或 QML Class Q（根据制造商）
　　抗辐射能力: 具备一定的抗总剂量辐射能力（典型值可达 100 krad(Si)）

AM25LS2521/BRA 5962-8671301RA 具备卓越的高可靠性与稳定性，专为严苛环境下的军事和航空航天应用而设计。其核心特性之一是全温区范围内的稳定运行能力，可在-55°C至+125°C的极端温度条件下保持数据完整性与读写性能，确保在高空飞行器、深空探测器或极地设备中的长期可用性。该器件采用先进的CMOS制造工艺，在保证纳秒级访问速度的同时显著降低功耗，尤其在待机或低活动状态下能够进入低功耗模式，从而延长电池供电系统的使用寿命。这种动态功耗管理机制使其非常适合于便携式军用通信终端或无人值守传感器节点。
　　另一个关键特性是其高度标准化的设计流程与制造认证体系。作为5962系列军用集成电路的一部分，AM25LS2521/BRA必须通过严格的QML（合格制造商清单）认证程序，包括批次检验、寿命测试、热循环试验和密封性检测等，确保每一颗芯片都达到军工级质量标准。这不仅提升了系统的整体可靠性，也简化了供应链管理和元器件替代过程。此外，该器件提供TTL电平兼容输出，可直接与多种数字逻辑电路接口，无需额外电平转换电路，降低了系统设计复杂度。
　　在抗干扰方面，该SRAM具备良好的噪声抑制能力和电磁兼容性（EMC），能够在强电磁干扰环境中维持正常操作，适用于雷达信号处理、电子战系统等高频干扰场景。陶瓷封装不仅提供了优异的散热性能，还增强了防潮、防腐蚀和机械抗震能力，适合长期部署在恶劣物理环境中。最后，由于其非易失性虽然依赖外部电源，但静态架构意味着只要供电不断，数据即可永久保存，无需刷新操作，减轻了控制器负担，提高了系统响应效率。

AM25LS2521/BRA 5962-8671301RA 主要应用于对可靠性、耐用性和环境适应性有极高要求的军事与航天电子系统中。它常被用作嵌入式处理器的高速缓存或主数据存储单元，广泛集成于战术通信设备、导弹制导系统、机载计算机、卫星控制模块以及地面雷达信号处理平台中。在航空电子领域，该SRAM可用于飞行控制系统中的实时数据缓冲，存储传感器采集的惯性导航信息、姿态角数据或飞行日志，确保在复杂电磁环境下仍能实现毫秒级响应和零数据丢失。在航天任务中，由于其具备一定程度的抗辐射能力，可应用于近地轨道卫星或深空探测器的数据采集与临时存储子系统，承担遥测数据暂存、指令队列管理等功能。
　　此外，该器件也常见于海军舰载电子对抗系统、潜艇声呐信号处理单元以及战略预警网络中的前端信号预处理模块。在这些应用中，AM25LS2521/BRA凭借其快速读取能力和低延迟特性，能够高效支持实时FFT运算、脉冲压缩和目标识别算法所需的中间变量存储。同时，由于其符合美军标标准化设计，便于在不同平台之间实现硬件兼容与系统升级，极大提升了装备的可维护性和延寿潜力。在核生化防护系统、野战医疗设备和战场指挥控制系统中，该SRAM也被用于存储关键配置参数、加密密钥或紧急启动代码，保障系统在断电重启后仍能迅速恢复运行状态。总之，该器件适用于所有需要持久、稳定、高速数据存储的国防与高端工业应用场景。

AM25LS2521/BRB
　　AM25LS2521/BRC
　　UT25L2521
　　IS65LV2521
　　MCM25LS2521