类型：异步SRAM
　　存储容量：1K × 4 位
　　组织结构：1024 字 × 4 位
　　访问时间：25 ns（典型值）
　　工作电压：+4.75V 至 +5.25V
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　输出逻辑电平：TTL 兼容
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C（军品级）
　　封装类型：20-pin CERDIP（陶瓷双列直插）
　　功耗：典型运行功耗约为 375 mW
　　读取电流：典型值 75 mA
　　待机电流：最大 40 mA
　　三态输出：支持
　　片选信号：CS1（高电平有效）、CS2（低电平有效）
　　写使能信号：WE（低电平有效）

AM25LS23DMB 采用先进的双极型肖特基 TTL 工艺制造，具备卓越的高速读取能力，其典型访问时间仅为 25 纳秒，能够在高频系统时钟下实现快速数据存取，满足高性能数字系统对于低延迟存储的需求。该芯片设计有双片选控制机制（CS1 高有效，CS2 低有效），允许灵活的存储器阵列扩展与译码逻辑简化，在多芯片系统中易于实现地址空间的选择与级联。其三态输出结构支持总线共享，允许多个存储器或外设共用同一数据总线，从而减少系统布线复杂度并提升集成度。
　　该器件的工作温度范围覆盖 -55°C 到 +125°C，符合军用标准（MIL-STD）要求，适用于极端环境下的电子系统，如航空电子、雷达系统、卫星通信终端等高可靠性应用场景。陶瓷 DIP 封装不仅提供了优良的散热性能，还增强了抗湿、抗氧化和抗机械应力的能力，确保长期运行稳定性。此外，该芯片对电磁干扰（EMI）具有较强的抗扰性，适合用于噪声较大的工业现场环境。
　　AM25LS23DMB 支持全功能异步操作模式，无需时钟同步即可完成读写操作，简化了接口时序设计。其写使能（WE）信号采用低电平触发机制，配合片选信号可精确控制写入时机，防止误写入。在待机模式下，虽然其功耗相比现代 CMOS 器件偏高，但仍可通过片选关闭进入低功耗状态，降低整体系统能耗。该器件的数据保持依赖于持续供电，不具备掉电保护功能，因此通常需配合备用电源或非易失性存储器使用以保障关键数据安全。

AM25LS23DMB 主要应用于对速度和可靠性要求极高的军事与航天电子系统中，例如导弹制导计算机、飞行控制系统、雷达信号处理单元和卫星遥测设备。在这些系统中，快速响应和极端环境下的稳定运行至关重要，而该芯片的高速访问能力和宽温工作特性恰好满足此类需求。此外，它也常被用于老式高性能通信交换设备中的缓存模块，用于临时存储路由表信息或帧缓冲数据，以提高数据转发效率。
　　在工业自动化领域，该器件可用于高端 PLC（可编程逻辑控制器）或实时数据采集系统中作为中间数据暂存区，确保传感器采集到的信息能够被迅速读取并传递给主处理器进行分析处理。测试与测量仪器如示波器、频谱分析仪等也可能采用此类 SRAM 来实现高速采样数据的临时存储。
　　由于其引脚兼容性和成熟的接口协议，AM25LS23DMB 还广泛用于现有系统的维护与替换场景，尤其是在无法更换整个主板架构的老化设备中，它是保障系统继续运行的关键元器件之一。此外，在科研实验装置或定制化嵌入式系统开发中，工程师可能会选择该芯片进行原型验证，特别是在需要 TTL 电平接口和高速静态存储的场合。虽然当前主流趋势是向低功耗 CMOS SRAM 转移，但该器件在特定高可靠性领域的不可替代性使其依然保有一定市场份额。

AM25LS23DM
　　MHS25LS23DMB
　　DS25LS23AM