时间：2025/8/24 21:26:00
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AM2319P-T1 是一款由 Advanced Monolithic Devices Inc.（简称 AMD）设计和制造的双N沟道增强型功率MOSFET，常用于高效率电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够提供高电流承载能力并减少功率损耗。
类型：MOSFET（N沟道）
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：8A（@25°C）
最大导通电阻(Rds(on))：18mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：PowerPAK SO-8
引脚数：8
AM2319P-T1 MOSFET采用先进的沟槽式功率MOS技术，具有非常低的导通电阻，从而在高电流应用中显著降低导通损耗。其双N沟道结构设计使得两个MOSFET可以并联使用，提高电流承载能力并简化电路布局。
此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了在高压瞬态条件下的可靠性。AM2319P-T1的栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V到20V的栅极驱动电压，使其兼容多种控制器和驱动电路。
其PowerPAK SO-8封装具备优异的热管理性能，有助于在高功率密度设计中保持较低的工作温度。该器件还具有良好的抗静电能力和较高的可靠性，适合在工业、通信和汽车电子等严苛环境中使用。
AM2319P-T1的封装设计优化了PCB布局的灵活性，同时减小了寄生电感，提高了开关性能，适用于高频开关应用，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）以及电机驱动器等。
AM2319P-T1广泛应用于各类电源管理系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动、电源管理单元（PMU）以及工业自动化控制系统等。由于其优异的导通特性和高可靠性，该器件特别适合对效率和热性能有较高要求的设计场景。此外，该MOSFET也适用于通信设备、服务器电源、便携式电子设备和汽车电子系统中的功率控制模块。
Si2302DS, IRF7309, AO4406A, FDS6680, NVTFS5C471NL
