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GA1206A221JXLBT31G 发布时间 时间:2025/6/4 4:29:24 查看 阅读:10

GA1206A221JXLBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率管理的场景。该芯片具有低导通电阻和高耐压特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。此外,其封装形式适合表面贴装工艺,便于大规模自动化生产。

参数

型号:GA1206A221JXLBT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅源电压(Vgss):±20V
  连续漏极电流(Id):22A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总栅极电荷(Qg):48nC
  反向恢复时间(trr):70ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263-3(LD)

特性

GA1206A221JXLBT31G具备卓越的电气性能,特别适合于高效率、高功率密度的设计需求。
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流应用中显著减少功率损耗。
  2. 高速开关特性,结合较低的栅极电荷和反向恢复时间,适用于高频开关电路。
  3. 宽泛的工作温度范围,使其能在恶劣环境中保持稳定运行。
  4. 封装设计紧凑,支持高效的表面贴装技术(SMT),简化了制造流程。
  5. 内置ESD保护功能,增强了器件的可靠性。

应用

该芯片广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级。
  4. 工业控制设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
  由于其高效率和稳定性,GA1206A221JXLBT31G在各类工业、消费类及汽车电子产品中均有出色表现。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N06L, AOT221L

GA1206A221JXLBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容220 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-