时间：2025/9/6 11:54:18
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AM2307PE-T1-PF 是一款由Advanced Monolithic Devices Inc.（AMD）制造的双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的工艺技术，具备高效率、低导通电阻和优异的热稳定性。AM2307PE-T1-PF主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中的功率开关应用。该器件采用小型DFN5x6封装，适用于高密度PCB布局。
类型：MOSFET（N沟道双管）
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：7.5A
导通电阻（RDS(ON)）：19mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：DFN5x6
AM2307PE-T1-PF MOSFET采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，使其在高电流应用中能够保持较低的功耗和发热。
其19mΩ的RDS(ON)确保在7.5A电流下仅产生较低的压降，从而提升整体能效。
该器件内置双N沟道MOSFET结构，适用于同步整流、H桥驱动、DC-DC降压/升压变换器等应用场景。
DFN5x6封装提供了良好的热管理能力，同时具备较小的封装尺寸，有利于节省PCB空间。
AM2307PE-T1-PF还具有高耐压能力，VDS耐压达30V，VGS栅极耐压为±20V，适合各种中低功率电源应用。
该器件的栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至20V之间的驱动电压，适用于多种控制器和驱动IC的配合使用。
AM2307PE-T1-PF广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备的电源管理电路；
2. DC-DC转换器、同步整流器和负载开关；
3. 锂电池保护电路与充电管理系统；
4. 电机驱动器和H桥电路；
5. 服务器、路由器、交换机等通信设备的供电系统；
6. 工业自动化控制系统中的功率开关模块。
Si3442CDV-T1-GE3, BSC016N03MS G, AO4407A
