AMMC5025W10 是一款由 Broadcom(安华高)制造的 GaAs(砷化镓)单片微波集成电路(MMIC)放大器,工作频率范围广泛,适用于射频和微波应用。该器件采用先进的 GaAs 技术制造,提供高增益、低噪声和良好的线性性能,非常适合用于无线通信系统、测试设备和雷达系统等高频应用。该封装为表面贴装(SMD)形式,便于集成到现代高频 PCB 设计中。
类型:射频放大器
技术:GaAs MMIC
工作频率:DC 至 25 GHz
增益:约 20 dB(典型值)
噪声系数:约 3.5 dB(典型值)
输出 IP3:约 25 dBm(典型值)
输出 1 dB 压缩点:约 13 dBm
电源电压:5 V
电源电流:120 mA(典型值)
封装类型:表面贴装,6 引脚 SOT-89
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
AMMC5025W10 是一款高性能的宽带射频放大器,具有宽频率响应范围(DC 至 25 GHz),使其适用于多种射频和微波应用。该器件采用 GaAs 技术,提供高增益和低噪声系数,确保信号的清晰度和稳定性。此外,该放大器具有良好的三阶交调截点(IP3)和 1 dB 压缩点性能,能够处理中等功率的射频信号而不会显著失真,适用于线性要求较高的通信系统。其低电源电压(5V)和适中的静态电流(120 mA)使其功耗相对较低,适用于电池供电或便携式设备。该器件采用 SOT-89 表面贴装封装,便于 PCB 布局并提高高频性能。此外,AMMC5025W10 在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内稳定工作,适合工业和军事环境使用。
AMMC5025W10 主要用于需要宽带射频放大的场合,包括无线基站、微波通信设备、测试与测量仪器、雷达系统以及卫星通信设备。此外,它也可用于射频前端模块、频率合成器和中继器系统中,提供低噪声和高线性度的信号放大。由于其高频性能和紧凑封装,该器件也适用于小型化射频系统和高频传感器应用。
HMC453MS8G、AMMC5040-300、HMC513LC4B、MAX2645、BGA2864