制造商：National Semiconductor (TI)
　　核心架构：80C186 增强型 x86
　　工作频率：50 MHz
　　供电电压：5V ±5%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　工艺技术：CHMOS（Complementary High-performance Metal-Oxide-Semiconductor）
　　封装类型：CQFP 或 PGA（具体以数据手册为准）
　　引脚数量：132-pin 或 144-pin（依封装而定）
　　抗辐射能力：具有抗总电离剂量（TID）和单粒子效应（SEE）能力
　　片上外设：2个DMA通道、3个定时器、2个UART、可编程中断控制器、片选逻辑、等待状态发生器
　　内存接口：支持外部SRAM/DRAM，可配置总线宽度
　　指令集兼容性：与 Intel 80C186 指令集完全兼容

AM186TMER-50VC的核心特性之一是其卓越的抗辐射性能，使其成为太空和高辐射环境中不可或缺的关键组件。该芯片经过专门设计和测试，能够承受高达数十krad(Si)的总电离剂量（TID），并在遭遇高能粒子撞击时具备一定的单粒子翻转（SEU）和单粒子闩锁（SEL）防护能力。这种抗辐射能力通过特殊的工艺流程、电路布局优化以及内置的错误检测与恢复机制实现，确保在关键任务系统中不会因宇宙射线或太阳风暴引发致命故障。
　　其次，该器件在极端温度范围内保持稳定运行，从-55°C到+125°C的宽温工作能力，使其适用于地球轨道以外的空间任务以及极地或沙漠等地面极端环境。其静态CMOS设计允许在不牺牲数据完整性的前提下暂停时钟信号，从而实现按需唤醒和节能操作，这对于依赖太阳能供电的卫星系统尤为重要。
　　AM186TMER-50VC还集成了丰富的片上外设资源，减少了对外部逻辑器件的依赖，降低了系统复杂性和潜在故障点。其内存控制器支持多种存储类型，并可通过编程设置等待状态以匹配不同速度的外部存储器，提升了系统设计灵活性。此外，该芯片具备与标准80C186处理器的软件兼容性，开发者可以复用现有固件代码，缩短开发周期。
　　最后，该器件遵循严格的军用质量控制流程，包括筛选、烧结、温度循环测试和辐射测试，确保每颗芯片都达到航天级可靠性标准。其封装材料采用陶瓷材质，具备优异的热稳定性和气密性，防止湿气和污染物侵入，延长使用寿命。这些综合特性使AM186TMER-50VC成为高可靠性嵌入式系统的理想选择。

AM186TMER-50VC主要应用于对可靠性要求极高的领域，尤其是在航天和国防系统中扮演关键角色。它被广泛用于各类卫星平台，包括通信卫星、气象卫星和地球观测卫星，作为星载计算机的核心处理器，负责姿态控制、轨道调整、遥测数据处理和指令执行等功能。在深空探测任务中，该芯片也用于探测器的自主导航系统和科学仪器控制模块，确保在远离地球的环境下仍能可靠运行。
　　在军事应用方面，AM186TMER-50VC常用于导弹制导系统、雷达信号处理单元、电子战设备以及军用无人机的飞行控制系统。其抗辐射和宽温特性保证了在核爆电磁脉冲或高空飞行条件下的持续运作能力。
　　此外，该芯片还可用于核反应堆监测系统、高海拔科研设备以及极地科考站的自动化控制系统。由于其长生命周期支持和稳定的供货渠道（尽管产量较低），许多老旧但仍在服役的军用和航天平台依然依赖此类抗辐射处理器进行维护和升级。

AM186EM-50
　　AM186ER-50
　　LPC1788FBD208,158
　　ATmega1284P-PU