AM1820-0763 时间：2025/12/28 3:20:07 阅读：8

AM1820-0763是一款由Ampleon公司生产的高性能射频功率晶体管，专为工业、科学和医疗（ISM）频段以及广播应用中的高效率射频放大器设计。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，能够在高频段提供出色的功率增益、线性度和热稳定性。AM1820-0763特别适用于工作频率范围在1.8 GHz至2.2 GHz之间的系统，如无线基础设施、基站放大器、雷达系统以及高功率RF信号发生器等应用场景。
　　该器件封装在坚固的陶瓷封装中，具有优异的散热性能和机械稳定性，能够承受高电压和高温环境下的长期运行。其设计优化了输入和输出匹配网络，简化了外部电路的设计复杂度，并提高了整体系统的可靠性。此外，AM1820-0763具备良好的抗负载失配能力和过载保护特性，使其在恶劣操作条件下仍能保持稳定工作，减少故障率和维护成本。作为一款高可靠性射频功率晶体管，它广泛用于需要持续高功率输出和高能效比的关键通信系统中。

参数

制造商：Ampleon
　　产品类型：射频功率晶体管
　　技术类型：LDMOS
　　工作频率范围：1.8 GHz ~ 2.2 GHz
　　输出功率（Pout）：约180 W（连续波）
　　增益：典型值30 dB
　　漏极电压（Vd）：最大50 V
　　静态漏极电流（Idq）：典型值250 mA
　　输入驻波比（Input VSWR）：典型值<2.5:1
　　输出驻波比（Output VSWR）：可承受无限大负载失配
　　封装类型：陶瓷封装（Ceramic Package）
　　热阻（Rth j-c）：典型值0.35 °C/W
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

AM1820-0763的核心优势在于其基于先进LDMOS工艺构建的高效率与高线性度表现。该晶体管在1.8 GHz至2.2 GHz频段内展现出卓越的功率附加效率（PAE），通常可达65%以上，这显著降低了能源消耗并减少了散热需求，从而提升了整个射频系统的能效水平。其高增益特性（典型值30 dB）意味着在大多数应用中仅需少量驱动级即可实现满功率输出，有助于简化前端驱动电路设计，降低系统整体复杂性和成本。
　　该器件具备出色的热稳定性和长期可靠性，得益于其低热阻（0.35°C/W）的陶瓷封装结构，使得结温上升更慢，在高功率连续运行时仍能维持安全工作区。这种封装还提供了优良的电磁屏蔽效果，防止内部信号泄漏或受到外界干扰，进一步增强了系统的EMI兼容性。此外，AM1820-0763经过严格的老化测试和可靠性验证，符合工业级质量标准，适合在极端温度和湿度环境下长时间运行。
　　另一个关键特性是其强大的抗失配能力。即使在输出端出现严重的电压驻波比（VSWR）失配情况下（例如天线开路或短路），器件也能通过内置的保护机制避免损坏，确保系统在突发异常状况下依然可靠运行。这一特性对于户外部署或无人值守的通信设备尤为重要。
　　AM1820-0763还支持多种调制格式下的线性放大操作，包括OFDM、QAM和CDMA等现代通信协议，适用于多载波和宽带信号处理场景。其良好的互调失真（IMD）性能保证了在多信号并发传输时仍能维持较低的邻道泄漏比（ACLR），满足严格的频谱掩模要求。此外，该器件对栅极偏置电压的变化不敏感，便于实现自动偏置调节和温度补偿电路的设计，提升系统智能化程度和适应性。

应用

AM1820-0763主要应用于需要高功率、高效率射频放大的各类通信和工业系统中。典型用途包括陆地移动无线电（LMR）基站、公共安全通信系统、海上与航空通信平台以及专业广播发射机等。由于其工作频段覆盖了多个ISM频段，因此也广泛用于工业加热、等离子体生成、医疗射频消融设备等非通信类高功率射频能量应用领域。
　　在无线通信基础设施方面，该器件常被用作Doherty放大器架构中的主放大器或辅助放大器单元，以提升整体效率和线性度，尤其适用于4G LTE和部分5G FDD模式基站。其高输出功率能力使其成为远程覆盖站点和大型场馆信号增强系统的理想选择。此外，在测试与测量设备中，如高功率射频信号源和EMC抗扰度测试系统，AM1820-0763也被用作末级功率放大模块，提供稳定且纯净的大信号输出。
　　军事与国防领域也是其重要应用方向之一，包括战术通信系统、电子战（EW）设备和雷达激励器等。这些应用通常要求元器件具备高鲁棒性、宽动态范围和快速响应能力，而AM1820-0763恰好能满足这些严苛条件。同时，科研机构在粒子加速器、核磁共振装置和其他高能物理实验中也会使用此类高功率LDMOS晶体管进行射频场激励。