时间：2025/7/23 3:50:16
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STFI26NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该器件设计用于高电压和高电流应用，具有出色的导通和开关性能，同时在高温环境下仍能保持稳定性。STFI26NM60N广泛应用于电源转换器、电机控制、照明系统和工业自动化等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：600V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：26A（在Tc=100℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.24Ω（最大值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220FP
STFI26NM60N MOSFET具备多项卓越的电气和热性能，确保其在高压和高电流环境下可靠运行。其导通电阻较低，有助于减少导通损耗并提高系统效率。此外，该器件具有出色的热稳定性，即使在高温条件下也能保持稳定的性能，从而延长设备的使用寿命。该MOSFET还具备快速开关能力，减少了开关损耗，使其适合高频应用。TO-220FP封装提供良好的散热性能，同时便于安装和集成到各种电路设计中。器件内部结构优化，降低了电磁干扰（EMI）并提高了抗过载能力，适用于需要高可靠性的工业和消费类应用。
STFI26NM60N还具备良好的雪崩击穿能力，能够承受一定的瞬态过电压，提高器件在恶劣工作条件下的耐用性。其栅极驱动要求较低，能够兼容常见的驱动电路，简化了外围电路的设计。器件还具备抗静电能力，有效防止静电放电对元件造成的损坏。
STFI26NM60N适用于多种高压功率电子系统，包括AC-DC电源转换器、DC-DC变换器、LED照明驱动电路、电机控制和家用电器中的功率开关电路。在工业自动化和电机驱动系统中，该器件可作为主开关元件，提供高效、可靠的功率控制。此外，它还可用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各类电源管理设备，满足高能效和高性能需求。
STW26NM60ND, STP26NM60N, FQA26N60C, IRFGB40N60B}
