ALT6707RM45Q7 时间：2025/4/28 18:32:21 阅读：3

ALT6707RM45Q7是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制程技术，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为QFN，能够有效提升散热性能并节省PCB空间。

参数

型号：ALT6707RM45Q7
　　类型：MOSFET
　　极性：N-Channel
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏电流(Id)：120A
　　导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ (典型值，在Vgs=10V时)
　　功耗(PD)：360W
　　结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
　　封装：QFN 4x4mm

特性

ALT6707RM45Q7的核心优势在于其超低的导通电阻以及在高频应用中的高效表现。
　　1. 导通电阻仅为1.5mΩ，能够显著降低导通损耗，非常适合大电流应用场景。
　　2. 支持高达120A的连续漏电流，适用于高功率密度设计。
　　3. 具备快速开关特性，可以减少开关损耗，提高系统效率。
　　4. 封装采用QFN结构，不仅减小了寄生电感，还提升了散热性能。
　　5. 工作温度范围宽广（-55℃至+175℃），适应多种恶劣环境条件。
　　6. 内部集成保护功能，例如过流保护和热关断机制，确保器件在异常情况下的可靠性。

应用

该芯片适用于各种需要高效功率转换和驱动的应用场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源(Switching Power Supplies)，如AC-DC适配器和DC-DC转换器。
　　2. 汽车电子系统，例如电动助力转向(EPS)、制动系统及车载充电器。
　　3. 工业控制设备，如伺服驱动器和PLC模块。
　　4. 消费类电子产品，例如笔记本电脑适配器、智能手机快充头等。
　　5. LED照明驱动电路，用于高亮度LED阵列供电。
　　6. 太阳能逆变器和储能系统，提供高效的能源管理方案。