ALM150PS19 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET晶体管,属于高功率、高效率的场效应晶体管。该器件通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率应用中。ALM150PS19 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,能够在高频率下稳定工作。其封装形式为 PowerSSO-16(也称为 DPAK 封装),具有良好的热管理和封装紧凑的特点,适用于高功率密度设计。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):200V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):80A
最大功耗(Pd):200W
导通电阻(Rds(on)):0.019Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:PowerSSO-16(DPAK)
ALM150PS19 MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势,使其在高功率应用中表现出色。
首先,其低导通电阻(Rds(on))为 0.019Ω,这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体效率。这对于高电流应用尤为重要,能够有效减少发热并提高能源利用率。
其次,该器件的最大漏源电压为 200V,能够适用于中高压应用,如电源适配器、DC-DC 转换器和工业控制设备。同时,其最大连续漏极电流可达 80A,满足高功率负载的需求。
ALM150PS19 采用 PowerSSO-16(DPAK)封装,具有良好的散热性能和紧凑的结构设计。这种封装方式不仅提高了热传导效率,还便于 PCB 布局和自动化焊接,适合现代高密度电子产品的设计需求。
此外,该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽(±20V),增强了其在不同驱动电路中的兼容性。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C,适用于恶劣环境条件下的工业和汽车电子应用。
最后,该器件具有高雪崩能量耐受能力,增强了其在突发电压和电流冲击下的可靠性,从而提高了系统的稳定性与寿命。
ALM150PS19 MOSFET 主要应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。常见的应用包括:开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、工业自动化控制设备、电动工具、UPS(不间断电源)以及电动汽车的电源管理系统。由于其高电流能力和良好的热性能,该器件也非常适合用于高频开关应用和需要高可靠性的系统中。
STP80NF20, IRF1405, FDP80N20, IRLB8726PBF